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        一種基于隔離式半橋驅動器的H電橋驅動電路

        作者: 時間:2013-12-24 來源:網絡 收藏

        電路功能與優勢

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/227283.htm

        本電路是一個由高功率開關MOSFET組成的H電橋,MOSFET受低壓邏輯信號控制,如圖1所示。該電路為邏輯信號和高功率電橋提供了一個方便的接口。H電橋的高端和低端均使用低成本N溝道功率MOSFET。該電路還在控制側與電源側之間提供電流隔離。本電路可以用于電機控制、帶嵌入式控制接口的電源轉換、照明、音頻放大器和不間斷電源(UPS)等應用中。

        現代微處理器和微控制器一般為低功耗型,采用低電源電壓工作。2.5 V CMOS邏輯輸出的源電流和吸電流在μA到mA范圍。為了驅動一個12 V切換、4 A峰值電流的H電橋,必須精心選擇接口和電平轉換器件,特別是要求低抖動時。

        ADG787是一款低壓CMOS器件,內置兩個獨立可選的單刀雙擲(SPDT)開關。采用5 V直流電源時,有效的高電平輸入邏輯電壓可以低至2 V。因此,ADG787能夠提供驅動ADuM7234所需的2.5 V控制信號到5 V邏輯電平的轉換。

        ADuM7234是一款半橋柵極驅動器,采用ADI公司iCoupler?技術,提供獨立且隔離的高端和低端輸出,因而可以專門在H電橋中使用N溝道MOSFET。使用N溝道MOSFET有多種好處:N溝道MOSFET的導通電阻通常僅為P溝道MOSFET的1/3,最大電流更高;切換速度更快,功耗得以降低;上升時間與下降時間是對稱的。

        ADuM7234的4 A峰值驅動電流確保功率MOSFET可以高速接通和斷開,使得H電橋級的功耗最小。本電路中,H電橋的最大驅動電流可以高達85 A,它受最大容許的MOSFET電流限制。

        ADuC7061 是一款低功耗、基于ARM7的精密模擬微控制器,集成脈寬調制(PWM)控制器,其輸出經過適當的電平轉換和調理后,可以用來驅動H電橋。

        使用的H電橋 (CN0196)

        一種基于隔離式半橋驅動器的H電橋驅動電路

        圖1. 使用ADuM7234的H電橋(原理示意圖:未顯示去耦和所有連接)

        電路描述

        2.5 V PWM控制信號電平轉換為5 V

        EVAL-ADuC7061MKZ提供2.5 V邏輯電平PWM信號,但ADuM7234在5 V電源下的最小邏輯高電平輸入閾值為3.5 V。由于存在這種不兼容性,因此使用ADG787開關作為中間電平轉換器。ADG787的最小輸入邏輯高電平控制電壓為2 V,與ADuC7061的2.5 V邏輯兼容。ADG787的輸出在0 V與5 V之間切換,足以驅動3.5 V閾值的ADuM7234輸入端。評估板提供兩個跳線,便于配置控制PWM信號的極性。

        H電橋簡介

        圖1所示的H電橋具有4個開關元件(Q1、Q2、Q3、Q4)。這些開關成對導通,左上側(Q1)和右下側(Q4)為一對,左下側(Q3)和右上側(Q2)為一對。注意,電橋同一側的開關絕不會同時導通。開關可以利用MOSFET或IGBT(絕緣柵極雙極性晶體管)實現,使用脈寬調制(PWM)信號或控制器的其它控制信號接通和斷開開關,從而改變負載電壓的極性。

        低端MOSFET(Q3、Q4)的源極接地,因此其柵極驅動信號也以地為參考。另一方面,高端MOSFET(Q1、Q2)的源極電壓會隨著MOSFET對的接通和斷開而切換,因此,最佳柵極驅動信號應參考或“自舉”到該浮空電壓。

        ADuM7234的柵極驅動信號支持在各輸入與各輸出之間實現真正的電流隔離。相對于輸入,各路輸出的工作電壓最高可達±350 VPEAK,因而支持低端切換至負電壓。因此,ADuM7234可以在很寬的正或負切換電壓范圍內,可靠地控制各種MOSFET配置的開關特性。為了確保安全和簡化測試,選擇12 V直流電源作為本設計的電源。

        自舉柵極

        高端和低端的柵極驅動器電源是不同的。低端柵極驅動電壓以地為參考,因此它直接產生自以地為參考的直流電源。然而,高端是懸空的,因此需要使用自舉,其工作原理如下所述。

        觀察圖1所示H橋電路的左側,自舉驅動電路利用電容C1、電阻R1和R3、二極管D1實現。上電后,PWM不會立即發生,所有MOSFET都處于高阻態,直到所有直流電壓完成建立。在此期間,電容C1由直流電源通過路徑R1、D1、C1和R3充電。充電后的電容C1提供高端柵極驅動電壓。C1充電的時間常數為τ = (R1 + R3) C1。

        當MOSFET在PWM信號的控制下切換時,低端開關Q3接通,高端開關Q1斷開。高端的GNDA下拉至地,電容C1充電。當Q1接通時,Q3斷開,GNDA上拉至直流電源電壓。二極管D1反向偏置,C1電壓將ADuM7234的VDDA電壓驅動到約24 V。因此,電容C1在ADuM7234的VDDA和GNDA引腳之間保持約12 V的電壓。這樣,高端MOSFET Q1的柵極驅動電壓始終參考Q1的懸空源極電壓。高端MOSFET源極上的電壓尖峰

        當Q1和Q4接通時,負載電流從Q1經過負載流到Q4和地。當Q1和Q4斷開時,電流仍然沿同一方向流動,經過續流二極管D6和 D7,在Q1的源極上產生負電壓尖峰。這可能會損害某些采用其它拓撲結

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