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        氣隙位置對電感參數的影響以及改進

        作者: 時間:2013-12-26 來源:網絡 收藏

        氣隙位置對電感參數的影響以及改進

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/227235.htm

        除了用鐵粉芯作磁芯的電感外,一般電感(Flyback變壓器為耦合電感)。氣隙的位置對有較大影響,下面基于有限元計算對此問題進行分析并給出一種新結構之磁芯。

        為方便起見,從一EE型的Flyback變壓器開始分析,其內部磁場分為如下幾個部分:主磁通、旁路磁通及擴散磁通。

        氣隙位置對電感參數的影響以及改進

        電感器的損耗由旁路磁通及擴散磁通引起。由于主磁通與線圈平面平行(假定線圈為銅箔且沒有端部效應),它不會引入電流密度J的變化,從而不影響線圈內電流的分布,此時線圈內電流由線圈自己決定。但旁路磁通與擴散磁通深入線圈,使鐵芯窗口內的磁場分布不再均勻,從而引起電流的重新分布,使電流集中在某一處。

        如果,我們以氣隙至磁軛的距離與磁芯中柱高度之比(hg/h)為變量,可得出氣隙在不同位置時電感器損耗變化圖如下:

        氣隙位置對電感參數的影響以及改進

        由此圖可知,氣隙在中間時損耗最小,在兩端時損耗最大,差別可達100%。這也就是我們通常EE Core用得比EI Core多的一個原因吧!

        有沒有辦法將氣隙優化且工藝方便?答案是肯定的:

        在以上影響電感損耗的兩部分磁通中,擴散磁通與氣隙形狀有關,與位置關系不大,當然當它在兩端時由于磁路長度發生一定變化,還是有所變化的。為簡化問題,此部分以后再作詳細討論。那么,就只有旁路磁通的影響了。通過下面的分析,可以得出,旁路磁通的大小是與磁芯高度方向上的平均磁壓降密切相關的。當氣隙處于中間與兩端時,磁壓分布如下圖所示:

        氣隙位置對電感參數的影響以及改進

        圖a中的平均磁壓降為IN/2,b為IN/4。

        假定旁路磁通與底邊平行,又由于B=dU*u0/w,可知,a中的磁密必定大于b中的磁密,磁場方向與線圈垂直。

        下面是損耗與平均磁壓降的關系:

        氣隙位置對電感參數的影響以及改進

        可得出磁壓降越低,損耗越低的結論。

        由此,如果我們可以將磁壓降降得更低,就可得到損耗更低的電感!

        氣隙位置對電感參數的影響以及改進

        由于它將氣隙交錯布置,使磁壓降在高度方向上出現二次轉折,僅為IN/8。它的損耗比起氣隙居中者可再下降約50%。

        文中指的損耗不包含磁芯損耗!

        最后一圖為專利。

        網友hkbuaa:請問什么是Flyback變壓器?flyback具體是什么意思?

        答:Flyback變壓器是指Flyback變換器中繞制耦合電感的磁系統。

        一般變壓器是通過電磁感應定律,當原邊給一個激勵時,同時在副邊感應出電壓并流通電流。磁芯的作用只是提供能量轉換所需的磁場,它并不存儲能量。

        而Flyback變壓器不同,本質上講它不是變壓器,因為在原邊有激勵時,副邊并沒有輸出。在原邊激勵時,其能量存儲于氣隙及磁芯中(很少),此時原邊電流全部是激磁電流。當原邊關斷時,由于變壓器內部磁場不能瞬變,它將在副邊感應出電壓,方向與激磁時相反,并釋放能量。

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