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關于光通信模塊中電磁兼容結構的研究與設計

作者：時間：2014-01-11 來源：網絡

ght: 24px; color: rgb(62, 62, 62); font-family: Tahoma, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-align: justify; ">改善前的XFP模塊電磁騷擾場強在水平方向的測試結果如圖3和表1所示：

圖3改善前水平方向測試圖

關于光通信模塊中電磁兼容結構的研究與設計

表1改善前水平方向測試數據改善后的XFP模塊電磁騷擾場強在水平方向的測試結果如圖4和表2所示：

關于光通信模塊中電磁兼容結構的研究與設計

圖4 改善后水平方向測試圖

關于光通信模塊中電磁兼容結構的研究與設計

表2改善后水平方向測試數據

由以上測試數據可見，改善后的電磁騷擾場強最大峰值下降了近2dBμV/m，平均值下降了近6dBμV/m。

4 結束語

在光收發合一模塊的結構設計中，必須要將電磁屏蔽設計作為重點考慮的內容。具體展開屏蔽設計時，應先確定騷擾源的特征，再選擇合適的屏蔽材料，然后結合適當的屏蔽方式以求達到最佳的屏蔽效果。通過樣品的測試結果表明，模塊的電磁兼容性能得到了很大的改善，且模塊各項工作性能指標沒有受到任何影響。

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關鍵詞： 光通信模塊 電磁兼容結構

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