技術知識：基于薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案

發展

薄膜技術以及厚膜技術的一項最新發展是在給定的EIA標準片狀電阻器尺寸上獲得了更高的額定功率(如表1所示)。這一重要進步使得工程師能夠使設計小型化，而無須犧牲功率處理能力。對于增強電流設計、減小未來設計的尺寸、產出更小的最終產品或在同尺寸產品中提供更多功能而言，這項突破都是至關重要的。

影響薄膜技術批量應用于片狀電阻器制造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片狀電阻器的常見價位要比最接近它的厚膜同類產品高10? 100倍。為了減少這種差異，供應商需要對薄膜材料進行完全重新設計，以滿足高速低成本生產的需要。它還需要開發一種高速的內聯式薄膜制造工藝。降低成本的最后一步是將對薄膜材料的要求從高精度級別(0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR)放寬到商用、通用和商品級別(1%容差和100×10-6 /℃的TCR)。這3項進步可以同時應用于價格僅為常見商品厚膜片狀電阻器的10%?20%的片狀電阻器。那可能是所有發展中最引人注目的一項。