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        技術(shù)圍觀 針對(duì)開關(guān)電源的沖擊電流控制方法講解

        作者: 時(shí)間:2014-01-23 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        阻值,如果這時(shí)的輸入電壓在電源可以工作的最小值附近,剛啟動(dòng)時(shí)由于熱敏電阻阻值還較大,它的壓降較大,電源就可能工作在打嗝狀態(tài)。另外,當(dāng)關(guān)掉后,熱敏電阻需要一段冷卻時(shí)間來將阻值升高到常溫態(tài)以備下一次啟動(dòng),冷卻時(shí)間根據(jù)器件、安裝方式、環(huán)境溫度的不同而不同,一般為1分鐘。如果關(guān)掉后馬上開啟,熱敏電阻還沒有變冷,這時(shí)對(duì)失去限制作用,這就是在使用這種方法控制的電源不允許在關(guān)掉后馬上開啟的原因。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/226713.htm


        3、有源限制法

        對(duì)于大功率,沖擊電流限制器件在正常工作時(shí)應(yīng)該短路,這樣可以減小沖擊電流限制器件的功耗。

        在圖6中,選擇R1作為啟動(dòng)電阻,在啟動(dòng)后用可控硅將R1旁路,因在這種沖擊電流限制電路中的電阻R1可以選得很大,通常不需要改變110V輸入倍壓和220V輸入時(shí)的電阻值。在圖6中所畫為雙向可控硅,也可以用晶閘管或繼電器將其替代。


        技術(shù)圍觀 針對(duì)開關(guān)電源的沖擊電流控制方法講解

        圖6. 有源沖擊電流限制電路 (橋式整流時(shí)的沖擊電流大)


        圖6所示電路在剛啟動(dòng)時(shí),沖擊電流被電阻R1限制,當(dāng)輸入電容充滿電后,有源旁路電路開始工作將電阻R1旁路,這樣在穩(wěn)態(tài)工作時(shí)的損耗會(huì)變得很小。


        在這種可控硅啟動(dòng)電路中,很容易通過開關(guān)電源主變壓器上的一個(gè)線圈來給可控硅供電。由開關(guān)電源的緩啟動(dòng)來提供可控硅的延遲啟動(dòng),這樣在電源啟動(dòng)前就可以通過電阻R1將輸入電容充滿電。


        DC/DC開關(guān)電源的沖擊電流限制方法

        1、長短針法

        圖7所示電路為長短針法沖擊電流限制電路,在DC/DC電源板插入時(shí),長針接觸,輸入電容C1通過電阻R1充電,當(dāng)電源板完全插入時(shí),電阻R1被斷針短路。C1代表DC/DC電源的所有電容量。


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        圖7. 長短針法沖擊電流限制電路


        這種方法的缺陷是插入的速度不能控制,如插入速度過快,電容C1還沒充滿電時(shí),短針就已經(jīng)接觸,沖擊電流的限制效果就不好。也可用熱敏電阻法來限制沖擊電流,但由于DC/DC電源的輸入電壓較低,輸入電流較大,在熱敏電阻上的功耗也較大,一般不用此方法。2、有源沖擊電流限制法

        2.1、利用MOS管限制沖擊電流

        利用MOS管控制沖擊電流可以克服無源限制法的缺陷。MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds_on低和驅(qū)動(dòng)簡單的特點(diǎn),在周圍加上少量元器件就可以做成沖擊電流限制電路。


        MOS管是電壓控制器件,其極間電容等效電路如圖8所示。

        技術(shù)圍觀 針對(duì)開關(guān)電源的沖擊電流控制方法講解

        圖8. 帶外接電容C2的N型MOS管極間電容等效電路

        MOS管的極間電容柵漏電容Cgd、柵源電容Cgs、漏源電容Cds可以由以下公式確定:

        技術(shù)圍觀 針對(duì)開關(guān)電源的沖擊電流控制方法講解

        公式中MOS管的反饋電容Crss,輸入電容Ciss和輸出電容Coss的數(shù)值在MOS管的手冊(cè)上可以查到。


        電容充放電快慢決定MOS管開通和關(guān)斷的快慢,為確保MOS管狀態(tài)間轉(zhuǎn)換是線性的和可預(yù)知的,外接電容C2并聯(lián)在Cgd上,如果外接電容C2比MOS管內(nèi)部柵漏電容Cgd大很多,就會(huì)減小MOS管內(nèi)部非線性柵漏電容Cgd在狀態(tài)間轉(zhuǎn)換時(shí)的作用。

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