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        小型熒光燈用400V功率MOSFETSTS1DNC40/STQ1NC40

        作者: 時間:2006-05-07 來源:網絡 收藏

        1 主要特點

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/225746.htm

        隨著全球節能技術的提高,小型熒光燈市場的發展非常迅猛。在眾多的低成本解決方案中,用戶通常選用簡單的自振蕩電路,而這些電路一般都采用STBV或BUL系列等功率雙極型器件。

        在采用如L6569型驅動器的應用,選用MOSFET是一個十分有效的解決方案。為此,ST公司專門推出了用于小型熒光燈的400V功率MOSFET STS1DNC40和STQ1NC40,這兩種器件與傳統器件相比,具有高效、低成本的優點,同時不影響產品的性能或使用壽命。另外,由于NC系列硅效率的提高和NC系列(PwerMESH)上RDS(on)*面積的減小,這兩款器件的功耗也有明顯的降低。

        STS1DN40和STQ1NC40是全新的小型熒光燈400V功率MOSFET。其中STS1DN40采用表面安裝雙島版SO-8封裝,而STQ1NC40則采用TO-92封裝。這兩種器件集NC系列400V器件的性能和小型裝所特有的靈活性于一身,因而具有成本低、可節省電路板空間(采用STS1DNC40可節省一個封裝)以及可鉗位尺寸等特點。

        2 主要電氣參數

        STS1DNC40的典型RDS(on)為4.7Ω,可采用低門限門極驅動,由于采用SO-98的標準外形封裝,因此十分方便于自動化表面安裝。而STQ1NC40的典型RDS(on)也為4.7Ω,并具有極高的db/dt能力,可進行100%的雪崩測試。它采用新高壓基準,并采用門極電荷 最小化的TO-92封裝形式。STS1DNC40和STQ1NC40的主要電氣參數如表1所列。

        表1 STS1DNC40和STQ1NC40的主要電氣參數

        P/N 電源(V) 封裝 RDS(ON)(Ω)最大值 BVDSS(V) 總功耗Tc=25℃
        STS1DNC40 220 SO-8 5.5 400 2W
        STQ1NC40 220 TO-92 5.5 400 3.5W

        表2 220V小型熒光燈用標準功率MOSFET的主要參數

        P/N 電源(V) 封裝 RDS(ON)(Ω)最大值 BVDSS(V) 典型CFL功率范圍(W) 技術
        STD1NB50/-1 220 DPAK/IPAK 9 500 7-23 PowerMESHI
        STD2NB50/-1 220 DPAK/IPAK 6 500 7-23 PowerMESHI
        STD3NB50/-1 220 DPAK/IPAK 2.7 500 7-23 PowerMESHII
        STD4NB50/-1 220 DPAK/INAK 1.5 500 7-23 PowerMESHII
        STD2NB50/-1 220 DPAK/IPAK 5.5 400 7-23 PowerMESHII

        3 應用電路

        圖1是采用STQ1NC40設計的小型熒光燈電路原理圖,可以看出,采用這種新型元器件設計的電路可極大的提高電路的靈活性和降低電路成本。表2給出了ST公司其它的220V小型熒光燈用功率MOSFET的主要參數。



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