LED光譜量測量中的問題分析
今年是發光二極管(led)誕生40周年,但只有到5年前白光LED開發成功后,對LED進行光譜測量才提上日程。迄今,白光LED的法向發光強度已達10cd以上,光效已超過25lm/W[1]。由于它具有10萬小時的壽命,微秒級的響應時間,光效已超過白熾燈;并且體積小,結構牢固。所以繼鹵鎢燈、熒光燈之后,它成為第三代照明光源的趨勢已成為必然。目前白光LED的制造途徑主要有三種:
(1)利用InGaN/GaN蘭光芯片,結合激發光為黃光的熒光物質YAG復合成白光;
(2)利用紅、綠、蘭三基色通過各自比例的調整,復合成白光;
(3)在ZnSe單晶基板上形成ZnCdSe薄膜,通電后薄膜發蘭光,它與基板產生連鎖反應發出黃光,復合成白光。 故各種白光LED離開等能白的色品坐標,即WE(0.3333,0.3333)的差距各不相同,從而對應的色溫、色純度和顯色指數等參數也各不相同,所以對它進行光譜量測量的重要性不言而喻。 準確測試LED各類光電參數對改善LED的性能作用頗大,其中光譜量的測試基本上有三種方法,一是把測量光用若干塊不同波長的帶通濾光片過濾后到達光探測器,光探測器一般用光電倍增管和硅光電二極管。二是把測量光經衍射光柵分光后到達線陣CCD電荷耦合器件。三是用單色儀分光后進行測量。前面兩種方法主要用于便攜式光譜測試儀對LED進行多參數一次性快速測量,用同一結構配置的硬件測量多個參數必然降低測量精度,后一種方法計量部門運用較多,能得到高精度的測量值,但測量時間較長。對單色LED主要測定其峰值波長和半寬度(FWHM),對白色LED主要測定其相對功率分布,從而推導出其色品坐標,主波長、色溫、色純度和顯色指數等參數,所以是光譜量測量的重點對象。
(1)利用InGaN/GaN蘭光芯片,結合激發光為黃光的熒光物質YAG復合成白光;
(2)利用紅、綠、蘭三基色通過各自比例的調整,復合成白光;
(3)在ZnSe單晶基板上形成ZnCdSe薄膜,通電后薄膜發蘭光,它與基板產生連鎖反應發出黃光,復合成白光。 故各種白光LED離開等能白的色品坐標,即WE(0.3333,0.3333)的差距各不相同,從而對應的色溫、色純度和顯色指數等參數也各不相同,所以對它進行光譜量測量的重要性不言而喻。 準確測試LED各類光電參數對改善LED的性能作用頗大,其中光譜量的測試基本上有三種方法,一是把測量光用若干塊不同波長的帶通濾光片過濾后到達光探測器,光探測器一般用光電倍增管和硅光電二極管。二是把測量光經衍射光柵分光后到達線陣CCD電荷耦合器件。三是用單色儀分光后進行測量。前面兩種方法主要用于便攜式光譜測試儀對LED進行多參數一次性快速測量,用同一結構配置的硬件測量多個參數必然降低測量精度,后一種方法計量部門運用較多,能得到高精度的測量值,但測量時間較長。對單色LED主要測定其峰值波長和半寬度(FWHM),對白色LED主要測定其相對功率分布,從而推導出其色品坐標,主波長、色溫、色純度和顯色指數等參數,所以是光譜量測量的重點對象。
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