生長LED有源層的外延方法及特點

生長led有源層的外延方法有氣相外延(VPE）、液相外延（LPE）、金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）、分子束外延（MBE）。它們生長LED有源層的材料分別有氣相外延CaAsp、GaP，液相外延GaP，GaAlAs，金屬有機物化學氣相淀積InGaAlP、InCaN，分子束外延ZnSe等。

氣相外延比較簡單，往往在外延生長后要再通過用擴散的方法制作PN結，所以效率低。液相外延已能一爐生長60-100片，生產效率較高，通過稼的重復使用成本也已降得很低，可用以制造高亮度GaP綠色發光器件和一般亮度的GaP紅色發光器件，也可用它制造超高亮度GaAlAs發光器件。金屬有機化學氣相淀積法（MOCVD）是目前生產超高亮度InCaN藍、綠色LED和InCaAIP紅、黃色LED的主要方法，它既能精確控制厚度---生長厚度能控制到20A左右，又能精密控制外延層的組成。可用此法生長超高亮度LED結構中所需要的量子阱階層和DBR反射結構種的20個左右的周期層，也適用于大批量生產，是目前生產超高亮度LED的主要方法。分子束外延目前主要用于研制ZnSe白色發光二極管，效果很好，能生長小于10A的外延層，確定是生長數度較慢，每小時約1微米，裝片容量也頗少，生產效率較低。