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        高亮度LED發光效益技術

        作者: 時間:2011-05-23 來源:網絡 收藏

        雖然具備了更省電、使用壽命更長及反應時間更快等優點,但仍得面對靜電釋放(ESD)損害和熱膨脹系數(TCE)等效能瓶頸;本文將提出一套采次黏著基臺(Submount)的進階封裝方式,以有效發揮led的照明效益。

        (High-brightness Light Emitting Diodes;HB )的出現,在照明產業中掀起了一股狂潮。相較于傳統的白熱燈泡,HB LED因具備了更省電、使用壽命更長及反應時間更快等主要優點,因此很快的搶占了LCD背光板、交通號志、汽車照明和招牌等多個市場。

        HB LED的主導性生產技術是InGaN,但此技術仍有一些瓶頸需要克服,目前掌握前瞻技術的業者紛紛針對這些瓶頸提出新的解決方案,希望能進一步拓展HB LED的市場。這些瓶頸中以靜電釋放(ELectrostatic discharge;ESD)敏感性和熱膨脹系數(thermal coefficient of expansion ;TCE)為兩大議題,其困難如下所述:
          熱處理(Thermal Management)

          相較于LED 晶粒(die)的高效能特性,目前多數的封裝方式很明顯地無法滿足今時與未來的應用需求。對于HB LED的封裝廠商來說,一個主要的挑戰來自于熱處理議題。這是因為在高熱下,晶格會產生振動,進而造成結構上的改變(如回饋回路變成正向的),這將降低發 光度,甚至令LED無法使用,也會對交錯連結的封入聚合體(encapsulating polymers)造成影響。

          僅管一些測試顯示,在晶粒(die)的型式下, 即使電流高到130mA仍能正常工作;但采用一般的封裝后,LED只能在20mA的條件下發光。這是因為當芯片是以高電流來驅動時,所產生的高熱會造成銅 導線框(lead-frame)從原先封裝好的位置遷移。因此在芯片與導線框間存在著TCE的不協調性,這種不協調性是對LED可靠性的一大威脅。

          靜電釋放(ESD)

          對電子設備的靜電損害 (Electrostatic damage;ESD)可能發生在從制造到使用過程中的任何時候。如果不能妥善地控制處理ESD的問題,很可能會造成系統環境的失控,進而對電子設備造成 損害。InGaN 晶粒一般被視為是"Class 1"的設備,達到30kV的靜電干擾電荷其實很容易發生。在對照試驗中,10V的放電就能破壞Class 1 對ESD極敏感的設備。研究顯示ESD對電子產品及相關設備的損害每年估計高達50億美元,至于因ESD受損的LED則可能有變暗、報銷、短路,及低Vf (forward voltage)或 Vr(reverse voltage)等現象。


        以Submount技術突破瓶頸

        為了突破這些InGaN LED瓶頸,CAMD公司提出一項特殊的解決方式。采用與醫學用生命支持設備相同的技術,CAMD發展出一種硅載體(Silicon Carrier)或次黏著基臺(Submount),以做為InGaN芯片與導線框之間的內部固著介質;當透過齊納二極管(Zener Diodes)來提供ESD保護的同時,這種Submount設計也能降低TCE不協調性的沖擊。

        (圖一)顯示一個基本硅材質Submount如 何將兩個焊球與覆晶LED接合在一起的情況,在球體區域所見到的不同顏色圓圈是用來保護LED免受ESD損害的二極管架構。此架構除了能安全的抵銷高達 30kV的接觸放電,更超過IEC61000-4-2國際標準對最大值的要求。硅材質與焊球扮演著振動吸收器,以疏緩熱膨脹效應。


        (圖一)  Silicon Submount架構上視剖析圖

        這樣做還有一些明顯的好處:以Submount粘著焊球,可以使LED晶粒緊密地與Submount接合在一起,再經由打線連接到導線框。這種方式能降低因直接打線到LED晶粒所產生的遮光影響。

        在圖一所示的Submount兩邊都有綠色的矩 形區域,這是打線的區域。此外,因為Submount是一個光滑的硅表面,其上是鋁金屬層,因此能將一般損失掉的光度有效的反射出去。圖一中的覆蓋了大部 分Submount的藍色區域,即是高反射性的鋁金屬層,它的作用猶如LED的一面反射鏡。

        在LED的背面一般以金覆蓋,以提供最佳化的熱傳導,以及芯片與導線框、銅散熱器的高度接合度。


        (圖二)顯示此一解決方案的完整封裝結構,其中 LED晶粒與Submount上頭的焊球接合,此一次組合被鑲嵌在整個LED 封裝中;Submount再打線到導線框,以供電給LED。這個硅Submount只有10-mils的厚度,這樣才能發揮最大的熱傳導效能,讓LED的 高熱很快地經由此封裝設計傳到散熱器上頭。


        (圖二)  LED/Submount 封裝方案側面剖析圖

        結論

        HB LED已開始取代消費性及工業應用的傳統照明解決方案,但要讓LED發揮最大照度,仍得克服一些瓶頸,例如在高熱下,封裝晶格會振動甚至遷移,以及因 ESD的損害而讓LED有變暗、報銷及短路等現象。本文所提到的Submount封裝技術,可以有效的解決LED發光、散熱及導電等問題,并能提供ESD 保護,是一個值得推廣的解決方案。



        關鍵詞: 高亮度 LED 發光效益

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