高亮度LED的發(fā)展趨勢

　　通常的LED芯片有必要透過有機(jī)材料來固定，往往伴隨著這種封裝材料的熱量出現(xiàn)，會使得光的質(zhì)量出現(xiàn)劣化，產(chǎn)生光輸出降低的問題。另一方面flip-chip的封裝之所以可以達(dá)到高發(fā)光效率，因?yàn)槭菍⒔Y(jié)晶層置于下方，利用bump金屬材料封裝在基板上，所以能夠有效率的把結(jié)晶層內(nèi)的熱量排除，而且因?yàn)椴恍枰B接材料，所以穩(wěn)定性也相當(dāng)高，用來作為照明用的大電流、大型元件，這是非常好的封裝設(shè)計(jì)。

　　提高電極的可視光透過率　增加光通量

　　最近也有工程師開始利用ITO作為透明導(dǎo)電膜，這是因?yàn)镮TO電極的可視光透過率非常高，而且電極材料自身也不大會出現(xiàn)光吸收現(xiàn)象而造成光損耗，而且在光學(xué)設(shè)計(jì)上，本身折射率是GaN折射率和Mold材料樹脂的中間值，所以能夠大幅增加輸出效率。因?yàn)镚aN系結(jié)晶折射率很高，所以在LED元件結(jié)晶內(nèi)部發(fā)出的光，并沒有透出而是在內(nèi)部反射，最終被材料所吸收。例如n-GaN層／藍(lán)寶石基板界面的臨界角是47度，p-GaN層／mold材料的epitaxial樹脂界面的臨界角是38度，一般LED的輸出效率至少是30％。因此如果能夠?qū)l(fā)光層發(fā)出的光全部透出的話，很有可能可以將LED的亮度增加到目前兩倍以上。

　　 LED構(gòu)造逐漸固定化之后的一兩年，關(guān)于這一方面的討論相當(dāng)多，包括了n-GaN層／藍(lán)寶石基板界面以及p-GaN層表面等等。在n-GaN層／藍(lán)寶石基板界面上，最有代表性的研究是透過界面加工，制造出光學(xué)的凹凸，并且在所形成凹凸的藍(lán)寶石基板上生成結(jié)晶。