LED外延片生長基本原理

LED外延片生長基本原理

LED外延片生長的基本原理是，在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有紅寶石和SiC兩種）上，氣態(tài)物質(zhì)In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學(xué)氣相沉積方法。

有機金屬化學(xué)氣相沉積方法(MOCVD )

金屬有機物化學(xué)氣相淀積（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，簡稱 MOCVD）， 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計算機多學(xué)科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導(dǎo)體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。