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        高亮度LED之“封裝熱導”原理技術探析

        作者: 時間:2012-06-24 來源:網絡 收藏
        r,絕緣層)的特性限制,此外在制造過程中也不得超過250℃300℃,這在過錫爐時前必須事先了解。

        附注:雖然鋁、銅都是合適的熱導熱金屬,不過礙于成本多半是選擇鋁材質。

        IMS強化MCPCB在絕緣層上的熱傳導

        MCPCB雖然比FR4PCB散熱效果佳,但MCPCB的介電層卻沒有太好的熱傳導率,大體與FR4PCB相同,僅0.3W/m.K,成為散熱塊與金屬核心板間的傳導瓶頸。

        為了改善此一情形,有業者提出了IMS(InsulatedMetalSubstrate,絕緣金屬基板)的改善法,將高分子絕緣層及銅箔電路以環氧方式直接與鋁、銅板接合,然后再將配置在絕緣基板上,此絕緣基板的熱傳導率就比較高,達1.12W/m.K,比之前高出37倍的傳導效率。

        更進一步的,若絕緣層依舊被認為是導熱性不佳,也有直接讓底部的散熱塊,透過在印刷電路板上的穿孔(ThroughHole)作法,使其直接與核心金屬接觸,以此加速散熱。此作法很耐人尋味,因為過去的印刷電路板不是為插件元件焊接而鑿,就是為線路繞徑而鑿,如今卻是為散熱設計而鑿。

        結尾

        除了MCPCB、MCPCB+IMS法之外,也有人提出用陶瓷基板(Ceramic Substrate),或者是所謂的直接銅接合基板(Direct Copper Bonded Substrate,簡稱:DBC),或是金屬復合材料基板。無論是陶瓷基板或直接銅接合基板都有24170W/m.K的高傳導率,其中直接銅接合基板更允許制程溫度、運作溫度達800℃以上,不過這些技術都有待更進一步的成熟觀察。


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        關鍵詞: 高亮度 LED 封裝熱導

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