分析三種新型半導體發光材料對半導體照明的應用

　　1）作為新一代寬禁帶半導體,GaN,SiC,ZnO的共同特點是它們的禁帶寬度在3.3到3.5eV之間,是Si的三倍,GaAs的兩倍.由于它們的一些特殊性質和潛在應用而備受關注。

　　2）GaN及其相關的固熔體合金可以實現帶隙1.9eV(InN)到6.2eV(AlN)連續可調,是實現整個可見光波段和紫外光波段發光和制作短波長半導體激光器的理想材料。目前GaN材料的研制工作已取相當成功，并進入了實用化階段。一旦GaN在襯底等關鍵技術領域取得突破，其產業化進程將會取得長足發展，有望在將來取代傳統的白熾燈,成為主要的照明工具。

　　3）SiC和ZnO體單晶不但具有優異的光學、電學等性質,還具有其它材料無法比擬的優勢——同質外延,預計亮度將是GaNLED的10倍而價格和能耗則只有1/10。隨著對半導體材料性能的不斷探索,進一步完善材料作用原理和器件工藝水平,碳化硅和氧化鋅會是將來紫光LED的主要材料。