IR推出新一代150V及200V功率MOSFET器件通態電阻降低高達56%

若在典型的150W正激轉換器應用中，以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代業界標準SO-8器件，效率可提升0.5%，這將導致器件結溫降低15°C至20°C。

新MOSFET是專為正激或推挽式功率轉換器拓樸中的原邊開關應用而設計，適用于電信及網絡系統中的板上型功率模塊。

IR中國及香港銷售總監嚴國富表示：“MOSFET的主要參數包括器件通態電阻和柵電荷。這些參數對電路整體性能具有一階效應。全新IRF7492和IRF7494器件以IR最新溝槽技術制成，有助減低傳導和開關損耗，提升整體效率。”

IRF7492及IRF7494具有低通態電阻 (RDS(on)) 和柵電荷，最適用于高達500kHz的直流-直流轉換器開關應用系統，柵電壓最高達20V。新MOSFET還具有低柵阻抗，能將開關損耗降至前所未有的水平。

全新IRF7492及IRF7494 HEXFET MOSFET已有供應。數據冊詳載于IR網頁www.irf.com，基本規格如下：

產品型號 封裝 VDSS VGS=10V下RDS(on)最大值 典型Qg值 典型Qgd值
IRF7494 SO-8 150V 44mOhm 36nC 13nC
IRF7492 SO-8 200V 75mOhm 38nC 16nC