SL11R單片機外部存儲器擴展

表2 SL11R讀周期參數

SL11R擴展外部SRAM或EPROM時，可以設定等待周期，最長可設定7個等待周期，每個等待周期時間為31ns（PCLK=32MHz時），這樣SL11R就可以擴展價格低廉的低速EPROM和SRAM存儲器。

選擇SRAM的速度主要應該由CS的低電平脈沖寬度決定：

tAC=tCR+tRDH-tCDH+等待周期時間

筆者經實驗得到常見的SRAM需要設定的等待周期數，見表3。從表3的數據可知，一般SRAM的速度可以達到標稱值，如PCLK為32MHz，100ns SRAM的等待周期為2，這時tAC=1+28+5-3+2×31=93ns。

表3 常見SRAM等待周期設定

3.2 動態存儲器的速度

EDO DRAM的讀寫速度有兩種情況：一種是隨機讀寫；另一種是快速頁面讀寫。SL11R隨機讀取DRAM的時序見圖6，參數見表4。

表4 SL11R讀DRAM參數

影響DRAM速度的參數較多，但選擇DRAM主要是根據tRAS。一般選擇50ns或60ns的DRAM就可以滿足要求。

SL11R隨機讀寫DRAM的周期時間tRC在PCLK為32MHz時為150ns；PCLK為48MHz時為100ns。經測試，DMA方式下，DRAM的讀寫速度可以達到6MHz，滿足常用的數據采集要求。

DRAM的快速頁面讀寫是指在DRAM的同一個頁面下，即行地址相同時，DRAM保持行地址不變，只尋址列地址，這樣可以減少發送行地址的時間。使用快速頁面讀寫必須十分小心，因為在數據采集等場合，寫數據時頁面發生變化會影響DRAM的讀寫時間，很可能會丟失數據。

SL11R擴展外部存儲器的能力較強，可以方便地擴展I2C接口的串行存儲器、各種速度的靜態存儲器以及大容量的DRAM。配合SL11R的USB接口和快速的處理能力，可以滿足各種應用的需要。