AM30LV0064D在單片機系統中的典型應用

　　1 概述

　　AM30LV0064D是AMD公司生產的一種新型非易失性閃速存儲器。或非（NOR）結構的FLASH具有高速的隨機存取功能，但成本較高；新的UltraNAND結構的FLASH相對于NOR結構的FLASH，具有價格低，容量特別大的優勢，支持對存儲器高速地連續存取。諞芯片工作電壓范圍在2.7～3.6V，特別適用于需要批量存儲大量代碼或數據的語音、圖形、圖像處理場合，在便攜式移動存儲和移動多媒體系統中應用前景廣闊。

　　2 工作原理與命令字設置

　　AM30LV0064D采用與工業級NAND結構兼容的UltraNAND結構，內部包含1024個存儲塊（單元容量為8K字節+256字節緩存)；存儲塊中的數據按頁存放，每頁可存儲512字節，還有16字節緩存用作與外部數據交換時的緩沖區，每塊共16頁。所以，主存儲區一共有16 384數據頁，相當于64 Mbit的數據存儲器。

　　AM30LV0064D的主要引腳定義：

　　CE--片選使能輸入；

　　ALE--地址輸入使能；

　　CLE--命令字輸入使能；

　　SE--緩沖區使能輸入，低電平有效；

　　RE--讀使能輸入，低電平有效；

　　WE--寫使能輸入，低電平有效；

　　WP--寫保護輸入，低電平有效；

　　RY/BY--內部空閑/忙信號輸出；

　　I/O7～0--8位數據輸入/輸出口；

　　VCC--3.3V核心電源；

　　VCCQ--I/O口電源；

　　VSS--地。

　　AM30LV0064D的讀、編程和擦寫等操作都可以在3.3V單電源供電狀態下進行，同時它提供的VCCQ引腳在接5V時，I/O口可兼容5V電平。AM30LV0064D支持對主存高速地連續存取和編程操作，連續讀取數據的時間可小于50ns/字節（隨機讀取數據的響應時間為7μs，所以連續讀取時第一個數據的響應時間也是7μs）；對FLASH的編程是以頁為單位的，步驟是先寫入數據，再執行編程命令，編程速度為200μs/頁（平均約400ns/字節）；芯片擦除操作以存儲塊為單位，擦除其中某一塊對其它存儲塊的數據沒有影響，擦除時間2ms/存儲塊，而且還有延緩擦降/得擦除命令，允許用戶在必要時暫緩擦除操作，轉而處理對其它存儲塊進行數據讀、寫、編程等操作；此外，主機可以通過讀RY/BY引腳狀態的方法了解FLASH內部操作是否已經完成，RY/BY也可用于實現硬件判忙接口。AM30LV0064D還具有寫保護功能，這一功能通過將WP引腳設為低電平實現。