意法半導體推出強電流、低壓降的絕緣柵雙極晶體管

意法半導體（紐約證券交易所：STM）日前在該公司先進的絕緣柵雙極晶體管家族中推出了一個 在強電流時能夠保持正向壓降很低的200A的器件，這類器件屬于ST的絕緣柵雙極晶體管家族，能夠確保低導通電壓損耗而無需使用任何降低少數載流子壽命的重金屬摻雜或電子輻射。這些器件用于鋁焊接和感應加熱設備，以及不間斷電源和開關式電源中。
STGE200NB60S屬于ST的PowerMESH 絕緣柵雙極晶體管家族，采用一種條狀專利布局。“ 網格覆蓋”技術是一種基于條狀物的新型高壓工藝，在絕緣柵雙極晶體管的N外延層擴散P型網格結構，然后，在P型網格層上直接擴散代替單元并代表器件發射極的N+條狀物。 S 后綴表示N溝道已經在工作頻率最高10kHz時針對低導通壓降做過優化處理。
在工作溫度100°C，電壓600V，電流100A時，VCE(sat)不到1V。在工作溫度25°C，電流200A時，VCE(sat)在1.3V以下。
這個器件的設計效率表明導通功耗降低了。這個器件采用了有利于安全的絕緣ISOTOP封裝。
有關ST的STGE200NB60S器件的詳細資訊，請訪問：http://www.st.com/igbt