RF功率器件的設計及應用

開發這些封裝晶體管的非線性電熱模型，使最復雜的測量和仿真技術成為可能。成功的建模還必須解決一些問題，包括匹配網絡中組成部分之間以及邦定線陣列之間的電磁交互作用、熱管理、器件熱模型與電模型的自相容集成，以及建立晶體管本身的非線性模型等。

飛思卡爾采用分割的方法來開發模型，在這種方法中，封裝晶體管被認為是可以分為更小組成部分的系統，如圖7所示。每個組件被分別建模，然后獨立的模型被集成到代表封裝器件的單一模型中。這種方法降低了計算負荷并建模復雜性，并表征了內部器件耦合的特性。這些特性包括在最終的模型中，以提高仿真精度。

封裝晶體管模型的核心是本征晶體管的非線性模型，這個非線性模型是從與偏置有關的S參數測量中提取出來的。精密的分層(deem-bedding)技術被用來描述和去除多重性以及外部組成部分，從而提取非線性模型。飛思卡爾采用Root模型和MET型來描述非線性模型。MET模型的熱模型是通過改變裸片溫度范圍的測量來決定的，并且與非線性點模型自相容地耦合。在普通CAD工具中，MET模型是RF功率晶體管的事實標準非線性模型。

在封裝內匹配網絡中，無源器件的模型是由線性S參數測量和電磁仿真決定的。利用高精度紅外(IR)顯微鏡的測量結構生成封裝和散熱器的熱模型。

當模型生成之后，通過比較模型預測與在模型生成中未被采用的獨立測量數據，開始確認模型工作的最后步驟。飛思卡爾基于其負荷拉移測量能力，制訂出一套行之有效的方法來確認它的大信號模型。本質上說，CAD工具被用來模仿大功率器件在負載拉移測試期間觀察到的環境。在非線性諧波平衡仿真過程中，對基頻和諧波頻率下的待測器件(DUT)的負載拉移S參數進行同步，以提出負載阻抗。測量和建模能力的配合有助于優化模型，以匹配測量結果。

圖8和圖9是與圖6類似的硅LDMOS晶體管模型確認的例子。該器件已經被設計用于860和960MHz頻段N-CDMA、GSM和GSM/EDGE基站應用，且在典型的GSM應用中具有28V電源電壓和1,200mA靜態漏電流。該晶體管在1dB壓縮點能提供160WCW功率。該晶體管包括三個有源裸片，具有大約270mm的柵長。封裝中包括了輸入匹配網絡，這個T型網絡采用78個邦定線和MOS電容。組成組成部分的模型如前所述，然后利用這些組成部分構建完整的模型。確認部分包括了大信號模型和雙音仿真，它在脈沖條件下實現，以提供恒溫環境。在同樣熱條件以及輸入和輸出負載條件下進行了負載拉移測量，并將測試結果與仿真結果比較。輸出功率、三階互調失真(IM3)、功率附加效率(PAE)以及轉換器增益的測量和仿真如圖8和9所示。采用分別在最大功率附加效率和最大輸出功率下諧振的已封裝晶體管，來實現功率掃描或拉升測量。在測試條件范圍內，測量和仿真結果非常吻合。

塑料封裝

大功率RF和微波半導體晶體管一般采用OMP封裝或氣腔封裝封裝。用于大功率RF和微波應用的晶體管要消耗大量的功率，因此它工作時的結溫很高。在封裝設計過程中，必須遵守嚴格的熱機械設計要求，以確保該封裝可以發散晶體管產生的大量熱量，而不會使其電性能下降。此外，封裝必須堅固，具有很高的機械強度以保證蜂窩基站和廣播系統的可靠性。

典型的氣腔封裝和OMP封裝如圖10所示。塑料封裝晶體管的內部成分是超模壓低損耗塑料材料。雖然新的功能性更強的多級大功率RF IC具有更多引腳，但大部分大功率晶體管封裝采用兩個或四個引腳。封裝針對引腳而設計，以便放置在PCB頂層微帶傳輸線上。法蘭焊盤的背面一側接觸功率放大器的散熱器，形成與微帶線底面連接器相連的導電連接，以及與散熱器連接的導熱連接，后者使得熱量從封裝晶體管傳導出去。

氣腔封裝是最昂貴的功率晶體管封裝形式，這歸結于氣腔封裝所采用的材料。由于功率晶體管是RF功率放大器中最貴的組成部分，所以這些氣腔封裝通常是設計和材料開發過程中降低成本的目標。

過去六年以來，飛思卡爾已經系統地重新對氣腔封裝進行工程化，采用新的材料進行設計，以提高性能并將降低封裝成本。2004年，飛思卡爾在其封裝中對散熱器材料做了改變，將熱性能提高了15-35%。這一性能改善使業界很快接受了改善后的封裝設計。

隨著用于大功率RF晶體管塑料封裝技術的創新開發，飛思卡爾進一步降低了封裝成本。采用OMP封裝解決方案，飛思卡爾可以提供在2.1GHz下具有130W功率的RF晶體管，與金屬陶瓷氣腔封裝產品進行競爭。迄今為止，已有超過3,000萬個超模壓封裝RF功率晶體管交付使用。此外，飛思卡爾提供超過12個不同封裝方案以及OMP封裝技術中的引腳配置，可實現各種功率RF IC產品。

這些OMP晶體管完全適用于傳統的大功率RF應用。封裝、材料和生產工藝的基本設計來自于飛思卡爾為最苛刻的環境條件而設計的大功率汽車和工業用封裝技術。這些封裝設計可達到超過1,900年的平均故障間隔時間(MTBF)。OMP封裝的機械公差很小，相對傳統的氣腔封裝，其公差指標有很大改善(高達50%)。很小的尺寸公差以及優異的濕度靈敏度等級(MSL)額定值使這些封裝適合于放大器裝配的自動化PCB生產。

有了氣腔外殼，OMP封裝可以可靠地工作在器件結溫度超過+200℃的情況下。集成的銅散熱器提供良好的耐熱性和散熱性，并且該封裝支持無鉛引腳(RoHS)互連工藝，在+260℃回流焊工藝中具有3或更高的MSL額定值?？紤]到與標準的符合性，OMP封裝已注冊成為JEDEC標準。

飛思卡爾在專門配備的熱分析實驗室*估了不同封裝類型的性能。封裝晶體管的熱性能是完整的無線基站收發信臺(BTS)所要求的系統級冷卻性能的一個主要因素。封裝的散熱能力由其熱阻決定，熱阻即為由消耗功率所產生的兩點之間的溫度差。

為獲得封裝晶體管的熱阻，飛思卡爾制訂了一套嚴格的方法，采用紅外線(IR)顯微鏡來測量工作在實際節點阻抗和信號激勵下的晶體管裸片的溫度。在顯微鏡下，裸片的溫度分布可以被看成是功率大小、偏置、匹配條件、頻率，甚至是所選擇的調制方式(例如WCDMA或IS-95)的函數。晶體管消耗60W功率的IR圖像照片如圖11所示。

使用IR顯微鏡可以定位出測量區域的最大裸片表面溫度。在熱測量期間，可以確定封裝晶體管的底部的溫度，并通過熱電偶進行監測，或者直接在晶體管的活動單元或產生熱的區域進行定位，如圖12所示。可通過在晶體管的陶瓷蓋上鉆孔，或者除去蓋子來直接觀察裸片表面。對OMP封裝，可以刻蝕掉模壓封裝使裸片的表面暴露出來。

應用工程

飛思卡爾的大功率RF器件支持團隊包括富有創造力和經驗的應用工程師，他們協助客戶對廣泛的商用工業、醫療、航空電子、廣播以及蜂窩基礎設施應用進行電路設計與故障診斷。由于現代RF功率放大器的系統級復雜性很高，這種任務已成為一種必然，并隨著通常設計周期時間的急劇減少而增加。飛思卡爾的RF應用團隊重點關注這些復雜問題，并幫助客戶在應用中使用這些器件，使飛思卡爾的晶體管方便、快速、無縫地集成到客戶的設計中。

為縮短客戶的設計周期，飛思卡爾的應用團隊已經著手開發經過優化的適合GSM、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA和WiMAX等特定大容量應用的RF器件示范電路。這些系統級電路采用小尺寸的普通和商用RF器件，以及典型的組裝流程，例如回流焊、表面貼裝或器件夾具法，證明了全部RF器件系列的性能。此外還采用了電路級效率和線性增強技術，比如Doherty以及模擬預矯正(APD)方法，以便讓客戶能更好地理解不同設計方法的優勢。

圖13為其中一個示范電路。這個電路被用來演示完整的1,800MHz GSM產品系列，包括驅動MW7IC18100N大功率RF的ICMMG3005 GPA。MMG3005是A類偏置InGaP HBTC，在1dB壓縮下