紅外探測器原理及分類
1.2.1熱探測器熱探測器吸收紅外輻射后,溫度升高,可以使探測材料產生溫差電動勢、電阻率變化,自發極化強度變化,或者氣體體積與壓強變化等,測量這些物理性能的變化就可以測定被吸收的紅外輻射能量或功率。分別利用上述不同性能可制成多種熱探測器:
(1) 液態的水銀溫度計及氣動的高萊池(Golay cell):利用了材料的熱脹冷縮效應。
(2) 熱電偶和熱電堆:利用了溫度梯度可使不同材料間產生溫差電動勢的溫差電效應。
(3) 石英共振器非制冷紅外成像列陣:利用共振頻率對溫度敏感的原理來實現紅外探測。
(4)測輻射熱計:利用材料的電阻或介電常數的熱敏效應—輻射引起溫升改變材料電阻—用以探測熱輻射。因半導體電阻有高的溫度系數而應用最多,測溫輻射熱計常稱“熱敏電阻”。另外,由于高溫超導材料出現,利用轉變溫度附近電阻陡變的超導探測器引起重視。如果室溫超導成為現實,將是21世紀最引人注目的一類探測器;
(5) 熱釋電探測器:有些晶體,如硫酸三甘酞、鈮酸鍶鋇等,當受到紅外輻射照射溫度升高時,引起自發極化強度變化,結果在垂直于自發極化方向的晶體兩個外表面之間產生微小電壓,由此能測量紅外輻射的功率。
1.2.2光子探測器光子探測器吸收光子后,本身發生電子狀態的改變,從而引起內光電效應和外光電效應等光子效應,從光子效應的大小可以測定被吸收的光子數。
(1)光電導探測器:又稱光敏電阻。半導體吸收能量足夠大的光子后,體內一些載流子從束縛態轉變為自由態,從而使半導體電導率增大,這種現象稱為光電導效應。利用光電導效應制成的光電導探測器分為多晶薄膜型和單晶型兩種。
(2)光伏探測器:主要利用p-n結的光生伏特效應。能量大于禁帶寬度的紅外光子在結區及其附近激發電子空穴對。存在的結電場使空穴進入p區,電子進入n區,兩部分出現電位差,外電路就有電壓或電流信號。與光電導探測器比較,光伏探測器背景限探測率大40%,不需要外加偏置電場和負載電阻,不消耗功率,有高的阻抗。
(3)光發射-Schottky勢壘探測器:金屬和半導體接觸,形成Schottky勢壘,紅外光子透過Si層被PtSi吸收,使電子獲得能量躍遷至費米能級,留下空穴越過勢壘進入Si襯底,PtSi層的電子被收集,完成紅外探測。
(4)量子阱探測器(QWIP):將兩種半導體材料用人工方法薄層交替生長形成超晶格,在其界面有能帶突變,使得電子和空穴被限制在低勢能阱內,從而能量量子化形成量子阱。利用量子阱中能級電子躍遷原理可以做紅外探測器。因入射輻射中只有垂直于超晶格生長面的電極化矢量起作用,光子利用率低;量子阱中基態電子濃度受摻雜限制,量子效率不高;響應光譜區窄;低溫要求苛刻。
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