DS32X35帶有鐵電隨機存取存儲器的高精度實時時鐘
加入技術交流群
概述
隨著DS32X35系列產品的發布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術，FRAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數據保持10年之久，與EEPROM和其它非易失存儲器不同的是：它不需要考慮系統的復雜性、過度開銷以及可靠性問題。從1992年出現第一塊FRAM至今，這項技術已經趨于成熟非易失存儲器
目前的非易失存儲技術主要有三種：電池備份的SRAM、EEPROM和閃存。在非易失存儲速度方面，FRAM類似于傳統的SRAM；FRAM的操作類似于串行EEPROM，主要區別在于它具有更好的寫操作特性和耐用性。能夠以I2C接口的速度對存儲器進行讀或寫操作。在寫操作過程中，無需輪詢器件確認就緒條件。表1給出了非易失存儲技術的評定，評定等級1 (最好)至4 (最差)。
表1. 非易失存儲器的技術評定
| Features | Battery-Backed SRAM | EEPROM | Flash | FRAM |
| Read Speed | 1 | 4 | 2 | 1 |
| Write Speed | 1 | 4 | 4 | 1 |
| Power Consumption | 3 | 4 | 4 | 1 |
| Memory Density | 2 | 4 | 1 | 4 |
| Ease of Use | 2 | 3 | 4 | 1 |
| Endurance | 1 | 3 | 4 | 1 |
FRAM相對于EEPROM的優勢
相對于同等容量的EEPROM，FRAM具有很多優勢。第一個優勢是FRAM能夠以總線速度執行寫操作，且數據開始傳輸后沒有任何寫延時。另外，FRAM沒有采用頁面寫操作方式，用戶可以簡便地連續寫入數據。數據傳輸時沒有尺寸限制，沒有延時。必要時，系統可以采用突發模式對整個存儲器陣列進行寫操作。第二個優勢是寫操作耐久性，寫次數高達100億次。多數EEPROM只寫次數只能達到100萬次。實際上可認為FRAM沒有寫次數的限制，非常適合數據采集應用。
第三個優勢是微功耗，有助于節省電能。FRAM采用鐵電存儲機制，可通過本地VCC支持寫操作，EEPROM則需要一個電荷泵或升壓電路。由此可見，FRAM的電流消耗遠遠低于類似配置的EEPROM。
DS32X35帶有FRAM的高精度RTC
DS32X35是一款溫補時鐘/日歷芯片，單個封裝內集成了32.768kHz晶體和非易失存儲器。 非易失存儲器采用兩種配置: 2048 x 8位或8192 x 8位。器件采用20引腳、300mil SO封裝。DS32X35包括一個FRAM區，無需電池備份即可保持存儲器的內容。此外，該系列器件可無限次地進行讀、寫操作。在產品有效使用期內，允許進行無限次的存儲器訪問，并且不存在磨損。該系列器件的其它特性包括：兩個定時鬧鐘、可以選擇的中斷或可編程方波輸出、一路經過校準的32.768kHz方波輸出。復位輸入/輸出引腳提供上電復位功能，另外，復位引腳還可以作為按鍵控制輸入由外部產生復位。RTC和FRAM通過I2C串口訪問。
地址要求
串行FRAM存儲器提供2048 x 8位或8192 x 8位存儲器陣列，通過I2C接口訪問。由于陣列配置不同，不同版本DS32X35的I2C尋址技術也有差異。表2詳細說明了不同版本DS32X35的尋址要求。表2. 存儲器從地址
| Part | Memory (kB) | Slave Address | Address Cycle 1 | Address Cycle 2 |
| DS32B35 | 2 | 1010 A10A9A8R | A7A6A5A4 A3A2A1A0 | N/A |
| DS32C35 | 8 | 1010 000R | XXXA12 A11A10A9A8 | A7A6A5A4 A3A2A1A0 |
R = 讀寫選擇位；X = 無關；AN = 第N位地址
結論
新型DS32X35系列產品具有精確的計時功能，將四個分離器件集成到單一芯片。圖1給出了集成RTC、非易失存儲器、系統復位和32.768kHz晶體的DS32X35內部框圖。
圖1. DS32X35的高集成度優勢
評論