瞬態抑制二極管與其它過壓保護技術的對比

裝置結構的對比:

肖特基二極管是通過將金屬焊至半導體結上而形成。 從電氣角度而言，該二極管是通過多數載流子進行導電，在漏電流和正向偏壓（VF）較低時能夠快速響應。 肖特基二極管廣泛應用于高頻電路。

齊納二極管由重摻P-N半導體結制成。 有兩種物理效應可稱之為齊納態（齊納效應和雪崩效應）。 當P-N結上施加了很低的反向電壓時，在量子效應下，P-N結將開始導電，這種現象稱之為齊納效應。 當PN結上施加的反向電壓大于5.5伏時將發生雪崩效應。發生雪崩效應時，所產生的電子空穴對將碰撞格柵。 基于齊納效應的齊納二極管廣泛用作電子電路中的基準電壓源。

瞬態抑制二級管由特制的P-N半導體結組成，可提供浪涌保護。 PN結通常覆膜，以防在非導電狀態下過早出現電壓弧閃。 出現瞬態電壓時，瞬態抑制二級管開始導電，并通過雪崩效應鉗制瞬態電壓。 瞬態抑制二極管廣泛用作電信、通用電子設備、數碼消費電子產品的電路過壓保護裝置，可提供雷擊、靜電放電和其他瞬態電壓保護。

SPA表示硅保護陣列。 該陣列集成了PN結、SCR或采用多引腳結構封裝的其他硅保護結構。 SPA可用于需要多種保護的電信、通用電子設備、數碼消費電子產品，提供對靜電放電、雷擊和EFT的綜合保護。 例如，它可用于HDMI、USB和以太網端口的ESD保護。