IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
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國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關模式電源（SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達驅(qū)動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 （Qg）。
與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應用技術(shù)的日益進步，開關頻率也有所提高，輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔當起重要的角色。開關損耗的多少對快速開關電路來說是關鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰(zhàn)做出了優(yōu)化，所以非常適合作為通信應用中隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主要開關，或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。”
這些新款MOSFET達到工業(yè)級別及第一級濕度感應度 （MSL1） 。它們采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝，皆為無鉛設計，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS） 指令。
產(chǎn)品的基本規(guī)格：
器件編號 封裝 電壓 （V） Id （A） 最大RDS（on） （mOhms） Qg （nC）
IRFB4615PBF TO220 150 35 39 26
IRFS4615PBF D2PAK 150 35 39 26
IRFSL4615PBF TO262 150 35 39 26
IRFB4620PBF TO220 200 25 72.5 25
IRFS4620PBF D2PAK 200 25 72.5 25
IRFSL4620PBF TO262 200 25 72.5 25
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