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        二極管的開關(guān)特性

        作者: 時(shí)間:2011-07-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        一般而言,開關(guān)器件具有兩種工作狀態(tài):第一種狀態(tài)被稱為接通
        ,此時(shí)器件的阻抗很小,相當(dāng)于短路;第二種狀態(tài)是斷開,此時(shí)器件的阻抗很大,相當(dāng)于開路。
          在數(shù)字系統(tǒng)中,晶體管基本上工作于開關(guān)狀態(tài)。對(duì)開關(guān)特性的研究,就是具體分析晶體管在導(dǎo)通和截止之間的轉(zhuǎn)換問題。晶體管的開關(guān)速度可以很快,可達(dá)每秒百萬次數(shù)量級(jí),即開關(guān)轉(zhuǎn)換在微秒甚至納秒級(jí)的時(shí)間內(nèi)完成。
          二極管的開關(guān)特性表現(xiàn)在正向?qū)ㄅc反向截止這樣兩種不同狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換過程。二極管從反向截止到正向?qū)ㄅc從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂瓜啾人璧臅r(shí)間很短,一般可以忽略不計(jì),因此下面著重討論二極管從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂沟霓D(zhuǎn)換過程。

        一、二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€(gè)反向恢復(fù)過程

          在上圖所示的硅二極管電路中加入一個(gè)如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時(shí)間內(nèi),輸入為+VF,二極管導(dǎo)通,電路中有電流流通。

          設(shè)VD為二極管正向壓降(硅管為0.7V左右),當(dāng)VF遠(yuǎn)大于VD時(shí),VD可略去不計(jì),則

          在t1時(shí),V1突然從+VF變?yōu)?VR。在理想情況下 ,二極管將立刻轉(zhuǎn)為截止,電路中應(yīng)只有很小的反向電流。但實(shí)際情況是,二極管并不立刻截止,而是先由正向的IF變到一個(gè)很大的反向電流IR=VR/RL,這個(gè)電流維持一段時(shí)間tS后才開始逐漸下降,再經(jīng)過tt后 ,下降到一個(gè)很小的數(shù)值0.1IR,這時(shí)二極管才進(jìn)人反向截止?fàn)顟B(tài),如下圖所示。

          通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)過程。其中tS稱為存儲(chǔ)時(shí)間,tt稱為渡越時(shí)間,tre=ts+tt稱為反向恢復(fù)時(shí)間。
          由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在,使二極管的開關(guān)速度受到限制。

        二、產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因——電荷存儲(chǔ)效應(yīng)

          產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因是由于二極管外加正向電壓VF時(shí),載流子不斷擴(kuò)散而存儲(chǔ)的結(jié)果。當(dāng)外加正向電壓時(shí)P區(qū)空穴向N區(qū)擴(kuò)散,N區(qū)電子向P區(qū)擴(kuò)散,這樣,不僅使勢(shì)壘區(qū)(耗盡區(qū))變窄,而且使載流子有相當(dāng)數(shù)量的存儲(chǔ),在P區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)了電子,而在N區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)了空穴
        ,它們都是非平衡少數(shù)載流于,如下圖所示。

          空穴由P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)后,并不是立即與N區(qū)中的電子復(fù)合而消失,而是在一定的路程LP(擴(kuò)散長度)內(nèi),一方面繼續(xù)擴(kuò)散,一方面與電子復(fù)合消失,這樣就會(huì)在LP范圍內(nèi)存儲(chǔ)一定數(shù)量的空穴,并建立起一定空穴濃度分布,靠近結(jié)邊緣的濃度最大,離結(jié)越遠(yuǎn),濃度越小
        。正向電流越大,存儲(chǔ)的空穴數(shù)目越多,濃度分布的梯度也越大。電子擴(kuò)散到P區(qū)的情況也類似,下圖為二極管中存儲(chǔ)電荷的分布。

          我們把正向?qū)〞r(shí),非平衡少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象叫做電荷存儲(chǔ)效應(yīng)
          當(dāng)輸入電壓突然由+VF變?yōu)?VR時(shí)P區(qū)存儲(chǔ)的電子和N區(qū)存儲(chǔ)的空穴不會(huì)馬上消失,但它們將通過下列兩個(gè)途徑逐漸減少:
          ① 在反向電場(chǎng)作用下,P區(qū)電子被拉回N區(qū),N區(qū)空穴被拉回P區(qū),形成反向漂移電流IR,如下圖所示;
          ② 與多數(shù)載流子復(fù)合。

          在這些存儲(chǔ)電荷消失之前,PN結(jié)仍處于正向偏置,即勢(shì)壘區(qū)仍然很窄,PN結(jié)的電阻仍很小,與RL相比可以忽略,所以此時(shí)反向電流IR=(VR+VD)/RL。VD表示PN結(jié)兩端的正向壓降,一般 VR>>VD,即 IR=VR/RL。在這段期間,IR基本上保持不變,主要由VR和RL所決定。
          經(jīng)過時(shí)間ts后P區(qū)和N區(qū)所存儲(chǔ)的電荷已顯著減小,勢(shì)壘區(qū)逐漸變寬,反向電流IR逐漸減小到正常反向飽和電流的數(shù)值,經(jīng)過時(shí)間tt
        ,二極管轉(zhuǎn)為截止。
          由上可知,二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過程,實(shí)質(zhì)上由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的,反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷消失所需要的時(shí)間

        三、二極管的開通時(shí)間

          二極管從截止轉(zhuǎn)為正向?qū)ㄋ璧臅r(shí)間稱為開通時(shí)間
          這個(gè)時(shí)間同反向恢復(fù)時(shí)間相比是很短的。這是由于PN結(jié)在正向偏壓作用下,勢(shì)壘區(qū)迅速變窄,有利于少數(shù)載流子的擴(kuò)散,正向電阻很小,因而它在導(dǎo)通過程中及導(dǎo)通以后,其正向壓降都很小,比輸入電壓VF小得多,故電路中的正向電流 IF=VR/RL ,它由外電路的參數(shù)決定,而幾乎與二極管無關(guān)。因此,只要電路在t=0時(shí)加入+VF的電壓
        ,回路的電流幾乎是立即達(dá)到 VF/RL。這就是說 ,二極管的開通時(shí)間是很短的,它對(duì)開關(guān)速度的影響很小,可以忽略不計(jì)。



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