DS1874具有數(shù)字LDD接口的SFP+控制器的寄存器映射
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引言
DS1874SFP+控制器具有數(shù)字LDD接口，允許對配置報警、告警和查找表(LUT)所需的各種選項進行編程。編程時需要參考寄存器存儲器結構圖。本應用筆記以另一種方式給出了寄存器映射，在對器件進行編程時，可以很容易地獲取寄存器信息。DS1874存儲器
DS1874具有9個獨立的存儲表，每個表內(nèi)部分為8字節(jié)行。低地址字節(jié)存儲器的地址從00h至7Fh，包括報警和告警門限、標志、屏蔽、幾個控制寄存器、密碼輸入?yún)^(qū)域(PWE)以及表格選擇字節(jié)。
表01h主要包括用戶EEPROM (具有PW1級訪問權限)以及報警和告警使能字節(jié)。
表02h為多功能區(qū)域，包含配置寄存器、比例和失調(diào)值、密碼、中斷寄存器以及其它各種控制字節(jié)。
表04h包含溫度索引LUT，用于控制調(diào)制電壓。調(diào)制LUT可以在-40°C至+102°C溫度范圍內(nèi)，以2°C步進值進行編程。
表05h默認情況下為空，可以配置為MASK位使能時(表02h、寄存器89h)的表01h，寄存器F8h–FFh的報警和告警使能字節(jié)。此時，表01h為空。
表06h包含溫度索引LUT，允許APC設置點隨溫度變化，以補償跟蹤誤差(TE)。APC LUT具有36個索引值，在-40°C至+100°C之間，以4°C為間隔確定APC設置。
表07h包含溫度索引LUT，用于控制DAC1。該LUT具有36個索引值，在-40°C至+100°C之間，以4°C為間隔確定DAC設置。
表08h包含溫度索引LUT，用于控制DAC2。該LUT具有36個索引值，在-40°C至+100°C之間，以4°C為間隔確定DAC設置。
輔助存儲器(器件A0h)包含256個字節(jié)的EE存儲器，可以從地址00h至FFh進行訪問。這一功能通過A0h器件地址選擇。
每個字節(jié)的功能以及讀/寫許可的詳細信息，請參考下表的說明。
EEPROM映射
很多非易失存儲器的位置(如后續(xù)寄存器參考說明部分所示)實際上是映射EEPROM，受控于表02h，寄存器80h的SEEB位。DS1874為關鍵存儲器地址提供映射EEPROM存儲器的位置，可以進行多次寫操作。默認的映射EEPROM位SEEB并不置位，這些位置作為普通的EEPROM使用。將SEEB置位，這些位置用作SRAM，不需要考慮EEPROM的使用次數(shù)，可以對其進行無數(shù)次寫操作，也無需考慮EEPROM的寫時間。因為SEEB使能情況下的任何改變不會影響EEPROM，重新上電后不保存這些改寫后的內(nèi)容。上電后的數(shù)值為SEEB禁止時最后一次寫入的數(shù)值。這一功能可以用于限制校準期間EEPROM的寫操作次數(shù)，或在正常操作期間周期性地改變監(jiān)測器門限，監(jiān)測功能有助于減少EEPROM的寫次數(shù)。存儲器說明中給出了映射EEPROM的位置。
DS1874存儲器
寄存器參考說明
下表給出了低地址字節(jié)存儲器、表01h和表02h的簡單參考說明，關于每一位的功能說明，請參考數(shù)據(jù)資料中相應的寄存器說明。表04h至表08h為LUT，無需單獨的參考說明，因此在此處沒有列出，詳細信息請參考數(shù)據(jù)資料。注：RSVD為“保留”的英文縮寫。
低地址字節(jié)存儲器
| REGISTER NAME | REGISTER ADDR (h) | bit7 | bit6 | bit5 | bit4 | bit3 | bit2 | bit1 | bit0 |
| TEMP ALARM HI TEMP WARN HI | 00h, 04h | S | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 |
| 01h, 05h | 2-1 | 2-2 | 2-3 | 2-4 | 2-5 |
關鍵詞：
DS1874
數(shù)字LDD
SFP
控制器
寄存器
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