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        Maxim用于工業(yè)超聲設(shè)備的高壓方案

        作者: 時(shí)間:2012-03-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        以認(rèn)為是純電容(CLOAD)。根據(jù)最大壓擺率,可以得到脈沖發(fā)生器輸出的峰值電流(IPEAK)。公式為:

        SLEW_RATE = (δV/δt)max = IPEAK/CTOT

        CTOT是總負(fù)載電容,包括傳感器電容、電纜電容和IC寄生電容。

        現(xiàn)在假設(shè)工作在單極性正脈沖模式(圖6),并試圖發(fā)送一個(gè)200V的單極性脈沖。例如,CTOT= 400pF,則擺率限制在:

        (δV/δt)max = IPEAK/CTOT= 2A/300pF = 6.66V/ns

        由此,上升和下降時(shí)間大約是:

        TRISE= TFALL≈ 200V/(6.66V/ns) = 30ns

        幅度為200V的最小脈沖寬度大約為60ns。

        當(dāng)然,雙極性和單極性負(fù)脈沖也可以按同樣方式計(jì)算。

        按照上面介紹的方法,可以增加電路的電流驅(qū)動(dòng)能力(IPEAK),并聯(lián)更多通道(注意:IC寄生電容也會(huì)相應(yīng)增大),據(jù)此提高工作頻率。舉例來說,如圖14所示的4A脈沖發(fā)生器,可以在理論上(忽略IC寄生電容)獲得TRISE= TFALL= 15ns的200V輸出擺幅。

        IPEAK= 4A,CTOT= 300pF,擺幅 = 200V最小脈沖寬度 = 30ns

        其它工作模式,如雙極性和單極性負(fù)脈沖,也可以采用類似途徑。


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