下橋臂IGBT驅(qū)動電路圖-原理圖

圖3中電源+5V、VB+、VB-（VB+與VB-的電壓均為25V）為器件提供工作電壓。與16引腳相連的電位符號IGBTBE和IGBT模塊下橋臂的發(fā)射極相連，與11引腳相連的IGBTBG1～3分別和下橋臂的門極相接，控制IGBT的導通和關(guān)斷。當14引腳DESAT的電壓高于7V檢測到過流信號或VCC欠壓時，6引腳FAULT為低電平，器件自動閉鎖所有輸出，用于保護IGBT模塊，同時向微處理器發(fā)出一個報警信號。

3上橋臂驅(qū)動器HCPL-3120

上橋臂驅(qū)動HCPL-3120是由磷砷化鎵光耦合器和功率輸出電路組成，其主要特征：8引腳雙列直插封裝；驅(qū)動電路的最大輸出電流峰值為2.0A；最小共模抑制比為15kV／μs；最大低電平為0.5V，無需柵極負壓；最大供電電流為5mA；電源電壓范圍為15V～30V；最大開關(guān)速度為0．5斗s；具有滯環(huán)欠壓鎖定輸出（UVLO）功能。HCPL-3120的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖4所示。HCPL-3120輸出電路具有寬限工作電壓范圍，使其易于提供門控器件所需的驅(qū)動電壓。它適于額定容量為1200V／100A的IGBT。對于更高容量的IGBT，可外接電流緩沖器，以擴展其驅(qū)動能力。上橋臂IGBT驅(qū)動電路的原理圖如圖5所示。

圖5中。VU+與VU-電壓為25V，輸出端（Vo）IGBTTG1和IGBT模塊上橋臂中U項的一個門極相連接，IGBTTE1和發(fā)射極相連接，從而控制IGBT的導通和關(guān)斷。

4實驗結(jié)果及分析

圖6是測試時從示波器上獲取的。從圖中看到正向驅(qū)動電壓為+16.5V，負向驅(qū)動電壓為-7.5V；采用此種方式能夠有效、快速地導通和關(guān)斷IGBT，減少了導通和關(guān)斷過程中的損耗。