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        USB 3.0應用的ESD保護設計

        作者: 時間:2012-04-12 來源:網絡 收藏
        rphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  首先,保護組件本身的寄生電容必須小于0.3pF,才不會影響高達4.8Gbps的傳輸速率。其次,保護組件的耐受能力必須夠高,至少要能承受IEC 61000-4-2接觸模式8kV 的攻擊。第三也是最重要的一項要求,在ESD事件發生期間保護組件必須提供夠低的箝制電壓,不能造成傳輸數據錯誤或遺漏,甚至造成系統產品內部電路損壞。第四,保護組件動作后的導通阻值必須夠低,這樣,除了可以降低箝制電壓外,最大的優點是可讓組件在遭受高能量ESD攻擊時仍能保持低箝制電壓,以避免出現保護組件未受損但系統內部電路已無法正常工作甚至損壞的情況。第五,單個芯片即可解決 連接端口中所有信號線/電源線的ESD保護需求,尤其是使用在Micro 接口時,這將大大降低設計布局的復雜度。

          以上五項基本要求缺一不可,若有任何一項無法滿足,則USB 端口就無法被完善地保護。不過,同時符合以上五項要求的ESD保護組件其本身的設計難度相當高,若非具有豐富經驗與扎實技術的設計團隊將無法實現。

        采用AZ1065的USB 3.0 應用ESD保護方案

          本文介紹的USB 3.0 應用的ESD保護方案,采用的是晶焱科技針對USB 3.0的保護需求推出的AZ1065系列ESD保護組件。為了將保護組件的寄生電容對4.8Gbps差動(Differential)信號高速傳輸的影響降至最低,AZ1065的寄生電容低于0.3pF。在極嚴格的電容要求下,任一引腳在室溫時仍可承受IEC 61000-4-2接觸模式10kV ESD的攻擊。

          最重要是,與相同的寄生電容相比,AZ1065擁有最低的ESD箝制電壓,可有效防止數據傳輸時被ESD事件干擾,這樣才能讓具有USB 3.0連接端口的電子系統得以通過Class-A的IEC 61000-4-2系統級靜電放電保護測試。利用傳輸線脈沖系統(TLP)測量AZ1065-06F后,可以觀察到如圖1所示的ESD箝制電壓特性。

          在IEC 61000-4-2接觸模式6kV(TLP電流等效約為17A)的ESD攻擊下,箝制電壓僅有13.4V,足以有效避免系統產品在靜電測試時發生數據錯誤、當機甚



        關鍵詞: USB 3.0 ESD

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