晶閘管整流橋的使用方法

　　(5)重復1～4，即可實現一個完整的控制過程。

　　3 注意事項

　　在圖2方案電路中，要關注：

　　(1)電阻功率問題：在圖2中，由上分析，可見電阻R5、R6在初次緩上電時瞬時流過的電流非常大，正常帶載工作過程，瞬時流過的電流也比較大，所以，在實際應用時，必須注意選取電阻R5、R6的功率足夠大;同時，在可控硅開通瞬間，流過電阻R1、R2的瞬間電流也較大，如圖5所示，即為圖2功率回路帶電機負載(負載功率約為5kW)所測得的波形圖：

　　由圖可見，R6的電壓降達7V，在每個供電周期(=50Hz*6=300Hz)均流過電流。由于R2的電壓降被可控硅G、K極嵌位在2V以內，則在電阻R1上的壓降：

　　≥7-2=5(V)

　　電阻R1上的瞬時功率：≥5*5/47≈0.53(W)

　　可見，電阻R1需承受的功率較大，所以也要注意選取電阻R1、R2的功率足夠大，以充分保障整個觸發控制電路的可靠性;

　　(2)時序問題：在上電時，如果在橋內的可控硅未滿足導通條件，就允許功率回路帶上負載，則電阻R5、R6很容易就燒斷損壞，所以上電時，一定要保證在充分滿足橋內的可控硅所需的開通條件后，再允許功率回路帶上負載工作;同樣，掉電時，也要充分保證在完全斷開負載后，再使可控硅關斷。否則，不但很容易會造成緩上電電阻R5、R6甚至R1、R2損壞，也使可控硅可能工作在大電流情況下關斷，極易產生很高的關斷過壓，進而損橋內的可控硅，更是對橋內的可控硅的安全工作造成威脅;

　　(3)電流變化率問題：在任何情況下，必須保證可控硅導通期任何時候的電流變化率都不能超過其標稱的重復值;

　　(4)通態平均電流額定值：在實際使用中，由于不能充分保證整流橋的散熱，則元件應降額使用。具體降額多少，需根據實際使用狀況來決定。

　　(5)驅動光耦問題：由于涉及到強電、弱電隔離，可控硅導通時需要的推動功率較大，光耦付邊耐壓問題等，必須慎重的選擇內置可控硅的推動光耦。