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        EMI控制方法:屏蔽、濾波、接地三

        作者: 時(shí)間:2012-10-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
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          通常采用三種器件來實(shí)現(xiàn):去耦電容、器和磁性元件。

          2.1去耦電容

          前面我們曾經(jīng)分析過,當(dāng)電路在很快的器件高低電平變換的時(shí)候,就會產(chǎn)生一系列的正弦諧波分量,這些正弦諧波分量就是我們所說的成分,這些高頻諧波會通過和其他設(shè)備之間的耦合通道對其他設(shè)備造成電磁干擾。合理使用去耦電容就能起到很好的抑制電磁干擾的效果,實(shí)際的電容是可以等效圖3所示的模型:

          

        電容的等效模型

          圖3 電容的等效模型

          其中等效串聯(lián)電阻我們稱之為ESR,等效串聯(lián)電感我們稱之為ESL,我們可以計(jì)算出這個(gè)等效電容的諧振頻率為:

          Fr=1/2π√LC

          電容的濾波原理就是通過這個(gè)頻率來確定。小于諧振頻率的時(shí),電容體現(xiàn)為容性,而當(dāng)頻率大于諧振頻率的時(shí),電容就體現(xiàn)為感性。所以,我們在濾除較為低頻的噪聲的時(shí)候,就應(yīng)當(dāng)選擇電容值比較高的電容,想濾去頻率較高的噪聲,比如我們前面所說的,則應(yīng)該選擇數(shù)值比較小的電容。所以,在實(shí)際中,我們通常放置一個(gè)1uf到10uf左右的去耦電容在每個(gè)電源輸出管腳處,來抑制低頻成分,而選取O.01uf到O.1uf左右的去耦電容來濾除高頻部分(對去耦電容的特性分析請參考第五章電源完整性分析)。 為了獲得最佳的EMI抑制效果,我們最好能在每組電源和地的引腳都能安裝一個(gè)電容,但是如果電源在流出引腳前在Ic內(nèi)部已經(jīng)放置去耦電容,那么在引腳處就不必在和每個(gè)地之間連接一個(gè)電容了.但是這樣對IC芯片的成本會相應(yīng)提高。

          圖4是一個(gè)放置耦合電容和不放置耦合電容的EMI仿真比較:

          

        EMI控制方法:屏蔽、濾波、接地三

          圖4 去耦電容對抑制EMI的作用

          2.2 EMI濾波器

          EMI濾波一般是用在對電源線的濾波,它是用來隔離電路板或者系統(tǒng)內(nèi)外的電源,它的作用是雙向的,即可以作為輸出濾波,也可以作為輸入濾波.EMI濾波器是由電感和電容

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