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        不間斷電源中的IGBT應用總結

        作者: 時間:2013-01-29 來源:網絡 收藏
        特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。常見電路有耗能式和回饋式緩沖電路。回饋式又有無源式和有源式兩種,詳細電路設計可參見所選用器件的技術手冊。

          橋臂共導損壞

          在UPS 中,逆變橋同臂支路兩個驅動必須是互鎖的,而且應該設置死區時間(即共同不導通時間)。如果發生共導, 會迅速損壞。在控制電路應該考慮到各種運行狀況下的驅動問題控制時序問題。

          過熱損壞

          可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導熱膠,強制風扇制冷,設置過溫度保護等方法來解決過熱損壞的問題。

          此外還要注意安裝過程中的靜電損壞問題,操作人員、工具必須進行防靜電保護。

          5. 結論

           兼具有功率MOSFET 和GTR 的優點,是UPS 中的充電、旁路開關、逆變器,整流器等功率變換的理想器件。

          只有合理運用,并采取有效的保護方案,才可能提高IGBT 在UPS 中的可靠性。

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        關鍵詞: 不間斷 電源 IGBT

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