高亮度白光LED驅動典型方案

　　圖6 無采樣模式模塊框圖

　　5 芯片版圖與測試

　　5.1 芯片結構與版圖

　　控制器的結構如圖7所示，主要模塊也標注于圖中。

　　圖7 控制器芯片的模塊框圖

　　芯片有兩個基準電路，基準1用于欠壓鎖定比較器的基準，基準2（VREF）是一個精確度更高的電壓基準用于誤差放大器、比較器等模塊電路。供電模塊主要包括一個7V（INTVCC）輸出的低壓差電壓調節器和3V（VDD）輸出的電壓調節器。運算放大器是芯片核心的模塊之一，SP、SN作為運算放大器的兩個輸入端，OV采樣輸出電壓則是作為過壓或限壓的功能。其它諸如帶斜坡補償電路的振蕩器，分別用于開關管和調光管的驅動電路，峰值電流以及過壓、過流比較器，邏輯單元電路等共同組成這個驅動控制器芯片系統。本文提出的升壓型LED驅動控制芯片在1.5μm BCD的工藝下仿真并流片測試，芯片的輸入電壓范圍為3~15V，圖8為芯片的顯微照片。

　　圖8 控制器芯片的顯微照片

5.2 芯片測試

　　設計升壓型LED驅動電路的PCB測試版進行不同工作模式下的測試，其中的主要外圍元件參數為：電感L=47μH，輸出電容C=20μF，采樣電阻Rs1=300 mΩ，Rs2=50mΩ。當輸入電壓為5V，輸出電壓大約為24V（7個LED串聯）時，占空比超過80%.圖9為輸出典型波形圖。VOUT是輸出電壓，Iinduct是電感電流，Gate是功率管的驅動電壓波形，在較大占空比時斜坡補償起到了很好的穩定輸出的效果。

　　圖9 升壓型LED驅動波形（占空比》80%）

　　圖10是PWM調光功能下的測試波形，輸入電壓為10V，輸出電壓為15V，調光的頻率為100Hz，調光比為3000:1.可以看到，LED的導通電流值幾乎不變，實現了前面所說的恒流PWM調光功能。

　　圖10 PWM調光模式波形（調光比3000:1）

　　對于選用的功率管的導通電阻Rds（on）=10mΩ（@VGS=7V），直接利