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JGD24-5固體式限時保護繼電器的設(shè)計方案

作者：時間：2013-09-28 來源：網(wǎng)絡(luò)

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style="PADDING-RIGHT: 0px; PADDING-LEFT: 0px; PADDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 0px 0px 20px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/24px 宋體, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 2em; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); webkit-text-size-adjust: auto; orphans: 2; widows: 2; webkit-text-stroke-width: 0px">　　限時保護繼電器在關(guān)斷時產(chǎn)生的干擾電壓峰值較高，因此，在輸出電路中增加吸收電路對功率場效應(yīng)管Q1 進行保護，本電路中采用VRC 吸收電路。其中， V12 為快恢復(fù)二極，管R15 為功率電阻， C6 為高頻無感電容。Q1 導(dǎo)通時， V12 反偏，C6 通過R15 放電， R 消耗能量并限制放電電流；Q1 關(guān)斷時， C6 通過V12 吸收干擾電壓，使Q1 的尖峰電壓不會過高。

　　Q1 在關(guān)斷時產(chǎn)生的干擾電壓較高，可由下式進行計算：

　　 JGD24-5固體式限時保護繼電器的設(shè)計方案

　　式中， Vcep為集-射極間的尖峰電壓，單位為V; Vcc為負載電源電壓，單位為V; L 為主電路和引線電路電感之和，單位為H; di/dt 為MOSFET集電極電流變化速率，單位為A/s.

　　由此可見，在大電流、關(guān)斷速度很快時，尖峰更大。因此，在輸出電路中增加吸收電路對MOSFET進行保護。VRC 吸收電路中R、C 由下式進行計算：

JGD24-5固體式限時保護繼電器的設(shè)計方案

　　4 結(jié)束語

　　本文介紹了固體式限時保護繼電器的電路設(shè)計，并詳細介紹了輸入電路設(shè)計、延時濾波電路設(shè)計、限時保護電路設(shè)計、隔離電路設(shè)計、驅(qū)動電路設(shè)計、串聯(lián)輸出電路設(shè)計，并經(jīng)過技術(shù)攻關(guān)，研制出JGD24 -5 型固體式限時保護繼電器。經(jīng)試驗驗證，其各項技術(shù)指標(biāo)均達到了該方案的設(shè)計要求。

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