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        HID燈鎮流器的空間和成本節約方案

        作者: 時間:2013-10-16 來源:網絡 收藏
        lt=圖2:反向恢復特性 src="http://www.elecfans.com/uploads/allimg/130929/1639392151-1.jpg">

          圖2:反向恢復特性

          的性能測試結果

          為了驗證UniFETTM II MOSFET系列的有效性,使用包括混合頻率逆變器的150W室內進行實驗。 的逆變器電路與圖1相同。低頻臂由2個IGBT組成,其工作頻率范圍為60Hz~120Hz. 另一個臂的工作頻率范圍為30kHz~110kHz. 采用普通MOSFET和FRD的傳統解決方案與UniFET II MOSFET系列之間的擊穿電流對比結果如圖3所示。在傳統解決方案中,反向恢復電流的峰值是11.44A. 而UniFET II MOSFET系列反向恢復電流的峰值是10.48A.

          圖3:瞬態下的穿通電流對比

          圖3:瞬態下的穿通電流對比

          結論

          UniFET II MOSFET系列具有更佳反向恢復特性,如快速恢復時間和低反向恢復電荷。 因此,可去除混合頻率逆變器系統中防止故障所需的4個額外二極管。 實驗證明UniFET II MOSFET系列可提高混合頻率逆變器的系統可靠性,由于去除了額外的二極管,因此可節省電路板空間和制造成本。


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        關鍵詞: HID 鎮流器

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