基于LM2596的不間斷直流電源設(shè)計方案(一)

　　電路原理如圖4所示。該恒流源電路由運放LM324、場效應(yīng)管IRF640、采樣電阻R3、負載電阻RL 等組成。

　　電路采用大功率場效應(yīng)管IRF640 作為調(diào)整管，該管為N 溝道增強型MOS 管，該管工作電壓最高可達100 V，飽和漏極電流可達28 A，功耗約為150 W.當場效應(yīng)管工作于飽和區(qū)時，漏極電流Id 近似為電壓Ugs 控制的電流。即當Ud 為常數(shù)時，滿足：Id = f （Ugs） ，只要Ugs不變，Id 就不變。

　　在此電路中，R2 為康銅絲材料的取樣電阻（阻值隨溫度的變化小）。OP07作為電壓跟隨器，有U+ = U - = Us，由于柵極電流可忽略不計，因此Id = Is = I2 = Us R2 =U+ R2.正因為Id = U+ R2，電路輸入電壓U+ 控制電流Id，即Id 不隨RL 的變化而變化，從而實現(xiàn)壓控恒流。圖4中參數(shù)充電電流為200 mA.若要改變充電電流，只需調(diào)整R2 即可。