安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統成本

安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。

與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實現比市場上其他領先解決方案更低的整體系統成本。這些IPM改進了熱性能、降低了功耗，支持快速開關速度，非常適用于三相變頻驅動應用，如AI數據中心、熱泵、商用暖通空調（HVAC）系統、伺服電機、機器人、變頻驅動器（VFD）以及工業泵和風機等應用中的電子換向（EC）風機。

EliteSiC SPM 31 IPM 與安森美IGBT SPM 31 IPM 產品組合（涵蓋15A至35A的低電流）形成互補，提供從40A到70A的多種額定電流。安森美目前以緊湊的封裝提供業界領先的廣泛可擴展、靈活的集成功率模塊解決方案。

隨著電氣化和人工智能應用的增長，尤其是更多AI數據中心的建設增加了能源需求，降低該領域應用的能耗變得愈發重要。在這個向低碳排放世界轉型的過程中，能夠高效轉換電能的功率半導體發揮著關鍵作用。

隨著數據中心的數量和規模不斷增長，預計對EC風機的需求也將隨之增加。這些冷卻風機可為數據中心的所有設備維持理想的運行環境，對于準確、無誤的數據傳送至關重要。SiC IPM可確保EC風機以更高能效可靠運行。

與壓縮機驅動和泵等許多其他工業應用一樣，EC風機需要比現有較大的IGBT解決方案具有更高的功率密度和能效。通過改用EliteSiC SPM 31 IPM，客戶將受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而簡化的設計，從而縮短開發時間，降低整體系統成本，并減少溫室氣體排放。例如，與使用當前IGBT功率集成模塊(PIM)的系統解決方案相比，在70%負載時的功率損耗為500W，而采用高效的EliteSiC SPM 31 IPM 可使每個EC風機的年能耗和成本降低52%。

全集成的EliteSiC SPM 31 IPM 包括一個獨立的上橋柵極驅動器、低壓集成電路(LVIC)、六個EliteSiC MOSFET 和一個溫度傳感器（電壓溫度傳感器(VTS)或熱敏電阻）。該模塊基于業界領先的 M3 SiC 技術，縮小了裸片尺寸，并利用SPM 31封裝提高短路耐受時間(SCWT)，從而針對硬開關應用進行了優化，適用于工業用變頻電機驅動。MOSFET采用三相橋式結構，下橋臂采用獨立源極連接，充分提高了選擇控制算法的靈活性。

此外，EliteSiC SPM 31 IPM 還包括以下優勢：

?低損耗、額定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止設備和元件發生災難性故障，如電擊或火災。

?內置欠壓保護（UVP），防止電壓過低時損壞設備。

?作為 FS7 IGBT SPM 31 的對等產品，客戶可以在使用相同 PCB 板的同時選擇不同的額定電流。

?獲得UL認證，符合國家和國際安全標準

?單接地電源可提供更好的安全性、設備保護和降噪。

?簡化設計并縮小客戶電路板尺寸，這得益于

    ◆ 柵極驅動器控制和保護

    ◆ 內置自舉二極管（BSD）和自舉電阻（BSR）

    ◆ 為上橋柵極升壓驅動提供內部升壓二極管

    ◆ 集成溫度傳感器（由LVIC和/或熱敏電阻輸出VTS）

    ◆ 內置高速高壓集成電路