英飛凌推出采用新型硅封裝的CoolGaN G3晶體管，推動全行業標準化進程

【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子器件性能水平方面起到至關重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異，產品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的CoolGaN G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶體管。

（CoolGaN G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合）

英飛凌科技中壓氮化鎵產品線負責人Antoine Jalabert博士表示：“這兩款新器件兼容行業標準硅MOSFET封裝，滿足客戶對標準化封裝、更易處理和加快產品上市速度的需求。

CoolGaN G3 100 V晶體管器件將采用5x6 RQFN封裝，典型導通電阻為 1.1 mΩ；CoolGaN G3 80 V將采用 3.3x3.3 RQFN 封裝，典型電阻為2.3 mΩ。這兩款晶體管的封裝首次讓客戶可以采取簡便的多源采購策略，以及與硅基設計形成互補的布局，而新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應能夠在常見封裝中實現高性能晶體管輸出。

此外，這種芯片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分布和散發，因此不僅能提高熱傳導性，還具有很高的熱循環穩定性。

供貨情況采用 RQFN 封裝的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶體管樣品將從2025年4月開始提供。了解更多信息，請點擊這里。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工（截至2024年9月底），在2024財年（截至9月30日）的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的OTCQX國際場外交易市場上市（股票代碼：IFNNY）。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來，英飛凌的業務取得非常迅速的增長，在中國擁有約3,000多名員工，已經成為英飛凌全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈，并在銷售、技術應用支持、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。