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        突破材料極限!石墨烯半導體加速AI與數據中心算力升級

        作者: 時間:2025-02-21 來源:泰克科技 收藏

        隨著AI計算、大數據、高速互聯和5G/6G通信的快速發展,半導體行業正迎來一場材料革命。硅基芯片在制程縮小至2nm之后,已逼近物理極限,短溝道效應、功耗問題以及制造成本的上升,正限制著傳統半導體材料的進一步發展。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202502/467162.htm

        2024年初,天津大學聯合佐治亞理工學院成功研制出全球首個功能性半導體,實現了從零帶隙到可調帶隙的重大突破。這一成果意味著,有望成為新一代半導體材料,推動未來芯片性能提升。

        為什么行業對寄予厚望?

        ■ 硅的極限:當前半導體器件的微縮化已經進入原子尺度,傳統硅材料在功耗、遷移率等方面逐漸遇到瓶頸。

        ■ 新材料的必要性:尋找高遷移率、低功耗的新型半導體材料,成為推動未來計算發展的關鍵。

        ■ 石墨烯的潛力:超高電子遷移率、極薄的二維結構、卓越的導熱能力,使其成為最具競爭力的候選材料之一。

        但另一方面,石墨烯半導體真的能夠取代硅嗎?它的產業化之路是否可行?如何準確測試其性能,推動量產?

        高精度測試技術,將成為石墨烯材料能否真正商用的決定性因素。

        二維材料與石墨烯:從理論到技術落地的關鍵一步

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        1 什么是二維材料?

        二維材料(2D Materials),指的是電子僅能在兩個維度自由運動的超薄材料,厚度通常在1-100nm之間,具備獨特的電子、光學和熱學特性。

        常見的二維材料包括:

        ?  石墨烯(Graphene):超高遷移率,零帶隙。

        ?  過渡金屬硫族化合物(TMDs):MoS?、WS?,適用于下一代場效應晶體管(FET)。

        ?  黑磷(Black Phosphorus):帶隙可調,適用于光電探測器。

        ?  六方氮化硼(h-BN):絕緣材料,常用于二維材料的襯底層。

        2 石墨烯的獨特優勢

        石墨烯是首個被發現的二維材料,被認為是最具潛力的半導體替代材料。

        ?  超高電子遷移率(5500 cm2/V·s),遠超硅(1400 cm2/V·s),適用于高速計算芯片。

        ?  優異的導熱能力(5300 W/m·K),比硅高 10 倍,有助于解決高性能計算(HPC)和 AI 訓練的散熱問題。

        ?  極薄的二維結構,可以突破短溝道效應,推動晶體管的微縮化。

        ?  柔性和透明性,可應用于可穿戴設備、透明顯示屏。

        但新的問題出現了:如何精準測試這些特性,確保石墨烯材料的可行性?

        石墨烯電學特性測試的挑戰

        盡管石墨烯在半導體行業展現出巨大潛力,但要真正實現產業化,其電學性能的精準測量是關鍵。由于石墨烯具有超高遷移率、極低電阻、高敏感性等特性,對測試技術提出了全新挑戰:

        1 超低電阻測試

        石墨烯的電阻通常遠低于常規半導體材料,在實驗室條件下甚至可達nΩ級。常規測試方法難以準確測量如此低的阻值,需要采用:

        ■ 四探針法:消除接觸電阻影響,提高測量精度。

        ■ 范德堡法(Van der Pauw):適用于非規則形狀樣品,測量電阻率。

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        2 霍爾效應測試

        石墨烯的高載流子遷移率使其霍爾效應尤為明顯,研究其電荷傳輸特性對于理解材料的基本電學特性至關重要。霍爾效應測試通常需要:

        ■ 低噪聲、高精度測量設備,確保霍爾電壓的準確性。

        ■ 極低溫(mK級)或高磁場(16T以上)環境,觀察量子霍爾效應。

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        3 低溫輸運與量子特性測試

        在超低溫環境下,石墨烯會表現出量子霍爾效應、Shubnikov-de Haas振蕩等奇異物理現象,這需要:

        ■ 超低噪聲納伏計:測量極小信號。

        ■ 高磁場環境(如PPMS系統),確保磁輸運實驗的準確性。

        4 可靠性測試

        ■ 高溫老化測試(HTOL):評估石墨烯MOSFET在長期工作狀態下的性能衰減。

        ■ 濕度&氧化耐受性測試:石墨烯易氧化,影響其電學特性。

        Tektronix專業:助力石墨烯材料從實驗室到產業化

        面對石墨烯半導體測試的種種挑戰,Tektronix提供了一整套完整的,涵蓋電學表征、IV-CV測試、界面缺陷分析及可靠性評估,助力研究人員加速和產業落地。

        IV-CV

        IV-CV測試是評估石墨烯MOSFET電學特性的核心手段。Tektronix提供:

        ■ 4200A-SCS 半導體參數分析儀:支持fA級超低電流測量,適用于石墨烯器件的精確IV測試。

        ■ Keithley 4210-CVU:提供1kHz-10MHz CV測試,分析石墨烯MOSFET的柵極氧化層和短溝道效應。

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        量子霍爾效應測試

        為測量超高遷移率的石墨烯器件,Tektronix采用:

        ■  Keithley 2182A納伏計+6221精密電流源,支持納伏級電壓測量,適用于QHE研究。

        ■ 低溫探針臺+4200A-SCS結合PPMS(物理特性測量系統),實現低溫霍爾測量。

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        可靠性&高溫老化測試

        ■ Keithley S530參數測試系統,支持HTOL(高溫運行壽命)測試,模擬長期運行環境,評估石墨烯器件的耐久性。

        ■ Tektronix高速示波器+矢量網絡分析儀(VNA),評估高頻GFET傳輸特性,適用于5G/6G通信芯片。

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        未來展望:石墨烯能否重塑半導體產業?

        盡管石墨烯在實驗室條件下展現了極高的潛力,但產業化仍需克服材料制備、帶隙調控、CMOS兼容性等難題。不過,AI、大數據、HPC、6G通信等前沿技術,正在推動新材料半導體的快速發展,泰克將繼續助力石墨烯器件的研發、優化及量產,加速未來計算的革新進程!



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