onsemi 推出升級版電源模塊以增強太陽能發電和儲能

位于美國亞利桑那州斯科茨代爾的智能電源與傳感技術公司onsemi發布了其最新一代硅和碳化硅（SiC）混合功率集成模塊（PIM），采用F5BP封裝，旨在提高公用事業級太陽能串式逆變器或能源儲存系統（ESS）的輸出功率。

與前幾代產品相比，這些模塊在相同的尺寸下提供了更高的功率密度和效率，使得太陽能逆變器的總系統功率從300kW提高到350kW。對于容量為1GW的公用事業級太陽能發電場，使用最新一代的模塊可以每小時節省近2MW的能源，相當于每年為700多個家庭供電。此外，使用新一代模塊可以減少模塊數量，從而降低功率器件的組件成本超過25%。

onsemi指出，隨著太陽能發電達到了最低的平準化能源成本（LCOE），它正日益成為全球范圍內可再生能源發電的首選來源。為了彌補太陽能發電的波動性，公用事業運營商也在增加大規模的電池能源存儲系統（BESS）以確保電網的穩定能源流動。為了支持這種系統組合，制造商和公用事業需要提供最大效率和可靠功率轉換的解決方案。每提高0.1%的效率，對于每GW的裝機容量，意味著每年可節省25萬美元的運營成本。

“作為依賴陽光的可變能源，需要不斷提高系統效率、可靠性和先進的儲能解決方案，才能在高峰和非高峰電力需求期間保持全球電網的穩定性和可靠性，”onsemi電力解決方案集團工業電力部門副總裁Sravan Vanaparthy說道。“更高效的基礎設施增加了太陽能發電的采用率，并確保在建設更多太陽能發電設施的同時，能源浪費減少，推動我們朝著遠離化石燃料的方向前進。”

新的F5BP-PIM集成了1050V FS7絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和1200V D3 EliteSiC二極管，形成了一個基礎，以促進高電壓和大電流功率轉換，同時減少功率損耗并提高可靠性。FS7 IGBT提供低關斷損耗，并將開關損耗減少多達8％，而EliteSiC二極管據稱與前幾代產品相比，其開關性能更優，電壓閃爍（VF）降低了15％。

這些PIM模塊采用了I型中性點鉗位（INPC）逆變器模塊和飛行電容拓撲升壓模塊。模塊還使用了優化的電氣布局和先進的直接鍵合銅（DBC）基板，以減少雜散電感和熱阻。此外，銅底板進一步將熱阻減少了9.3％，確保模塊在高負載操作下保持低溫。這種熱管理對模塊的效率和壽命至關重要，使其在需要可靠且持續的電力供應的苛刻應用中表現出色。