德州儀器(TI)全新12英寸半導體晶圓制造基地正式破土動工

德州儀器近日宣布其位于德克薩斯州謝爾曼（Sherman）的全新12英寸半導體晶圓制造基地正式破土動工。德州儀器董事長、總裁及首席執(zhí)行官譚普頓（Rich Templeton）先生在動工儀式上慶祝該基地建設正式開始，并重申了德州儀器致力于擴大長期的自有制造能力的承諾。

德州儀器董事長、總裁及首席執(zhí)行官譚普頓（Rich Templeton）先生等公司領導出席了謝爾曼全新 12英寸半導體晶圓制造基地的動工儀式

譚普頓先生表示：“今天是一個重要的里程碑，我們將為半導體在電子產品領域的發(fā)展奠定基礎，以滿足客戶未來幾十年的需求。公司成立90多年以來，我們一直致力于通過半導體技術讓電子產品更經濟實用，讓世界更美好。我們很高興謝爾曼先進的12英寸半導體晶圓制造基地將幫助TI持續(xù)提升制造能力和技術競爭優(yōu)勢。”

德州儀器謝爾曼全新12英寸半導體晶圓制造基地設計概念圖

此項目投資約300億美元，計劃建造四座工廠以滿足長期的市場需求。這些新工廠每天將制造數千萬顆模擬和嵌入式處理芯片，廣泛地應用于全球市場的各類電子產品領域。

可持續(xù)制造

一直以來，TI致力于負責任的、可持續(xù)制造的長期承諾。新工廠將按照能源和環(huán)境設計先鋒(LEED)金級認證的標準進行設計，這是LEED建筑評級中在結構效率和可持續(xù)發(fā)展方面的最高標準之一。通過采用先進的12英寸晶圓制造設備和工藝，新工廠將進一步減少廢棄物的排放，并降低對水和能源的消耗。

投資12英寸晶圓制造

謝爾曼晶圓制造基地中的首座工廠預計于2025年開始投產。該晶圓制造基地將加入TI現有的12英寸晶圓制造廠陣營，包括德州達拉斯（Dallas）DMOS6；位于德州理查森（Richardson）的RFAB1和即將竣工并預計于2022年下半年開始投產的RFAB2；以及位于猶他州李海（Lehi）預計于2023年初投產的LFAB。譚普頓先生表示：“我們對長期產能的持續(xù)投資，將進一步提升公司的成本優(yōu)勢，并加強對供應鏈的控制能力。”

一直以來，TI對長期產能持續(xù)投資，不斷提升制造能力和技術競爭優(yōu)勢，以支持客戶未來幾十年的增長。TI在中國成都的生產制造基地集晶圓制造、封裝、測試、凸點加工和晶圓測試為一體，目前正在擴建第二座封裝/測試廠房。