英飛凌推出業(yè)界首款面向航天級(jí)FPGA的符合QML-V標(biāo)準(zhǔn)的抗輻射N(xiāo)OR閃存

航天級(jí)可編程邏輯器件（FPGA）需要包含其引導(dǎo)配置的可靠的高容量非易失性存儲(chǔ)器。為滿(mǎn)足對(duì)高可靠性存儲(chǔ)器日益增長(zhǎng)的需求，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出業(yè)界首款高容量抗輻射（RadTol）NOR閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品通過(guò)了MIL-PRF-38535 QML-V流程認(rèn)證。QML-V流程是航天級(jí)IC的最高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

英飛凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲(chǔ)器可帶來(lái)出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案，適用于FPGA配置、圖像存儲(chǔ)、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲(chǔ)等應(yīng)用場(chǎng)合。在更高時(shí)鐘速率下使用時(shí)，器件支持的數(shù)據(jù)傳輸可媲美或超越傳統(tǒng)的并行異步NOR閃存，同時(shí)顯著減少引腳數(shù)。這款器件的抗輻射性能高達(dá)30 krad（Si）偏置和125 krad（Si）無(wú)偏置。在125°C時(shí)，這款器件耐久性達(dá)到1000次編程/擦除周期，數(shù)據(jù)保留期限為30年，在85°C時(shí)可達(dá)到1萬(wàn)次編程/擦除周期，數(shù)據(jù)保留期限為250年。

作為航天級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌利用65 nm浮柵閃存工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。512 Mb器件包括兩個(gè)獨(dú)立的256 Mb裸片，它們采用單個(gè)封裝解決方案并排裝配。這樣，設(shè)計(jì)人員可以靈活地在任一裸片上以雙QSPI或單QSPI模式獨(dú)立運(yùn)行器件，從而為其提供使用第二個(gè)裸片作為備份解決方案的選項(xiàng)。英飛凌正與賽靈思等領(lǐng)先的FPGA生態(tài)系統(tǒng)公司就航天級(jí)應(yīng)用展開(kāi)密切合作。

Infineon Technologies LLC航空航天與國(guó)防業(yè)務(wù)副總裁Helmut Puchner表示：“我們的抗輻射雙QSPI非易失性存儲(chǔ)器獲得最新航天級(jí)FPGA的全面支持。它們可以帶來(lái)出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案來(lái)配置處理器和FPGA。譬如，Xilinx Kintex^? UltraScale? XQRKU060的整個(gè)圖像可以在Dual Quad模式下在大約 0.2 秒內(nèi)加載。”

供貨情況

RadTol NOR閃存器件采用24x12 mm2 36引腳陶瓷扁平封裝, 可通過(guò)FPGA或通過(guò)獨(dú)立編程器進(jìn)行編程。這款器件支持-55°C至125°C的溫度等級(jí)，SEU率 < 1 x 10-16次翻轉(zhuǎn)/位-天，SEL > 60 MeV.cm2/mg（85°C），SEFI > 60 MeV.cm2/mg（LET），SEU閾值> 28 Mev.cm2/mg（LET）。