意法半導體MasterGaN系列新增優化的非對稱拓撲產品

基于MasterGaN^?平臺的創新優勢，意法半導體推出了 MasterGaN2 ，作為新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產品，是一個適用于軟開關有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。

兩個650V常關型GaN晶體管的導通電阻 (RDS(on))分別是150mΩ和225mΩ，每個晶體管都集成一個優化的柵極驅動器，使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。集成了先進的驅動功能和GaN本身固有性能優勢，MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式變換器等拓撲電路的高能效、小體積和輕量化優勢。

MasterGaN電力系統級封裝(SiP)系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和配套的高壓柵極驅動器，并內置了所有的必備的保護功能。設計人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP、FPGA或微控制器等外部設備直連MasterGaN器件。輸入兼容3.3V-15V邏輯信號，有助于簡化電路設計和物料清單，允許使用更小的電路板，并簡化產品安裝。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度。

GaN技術正在推進USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發展。意法半導體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80％，減重70％，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

內置保護功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅動器互鎖、專用關閉引腳和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應用優化的封裝，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。

MasterGaN2 現已量產。