積塔半導體上海臨港新廠投產

華大半導體旗下全資子公司上海積塔半導體有限公司（GTA Semiconductor）臨港新廠今天（6月30日）正式投產。成立于2017年的積塔半導體之“積塔”乃積沙成塔之意。2018年8月，總投資359億元在上海臨港開建積塔半導體特色工藝生產線，專注模擬電路與功率器件。

2018年10月，積塔半導體與上海先進半導體合并，使積塔半導體擁有了臨港和漕河涇兩個廠區。而借助上海先進在模擬、高壓、功率器件制造研發幾十年經驗，為積塔半導體特色工藝生產線市場競爭力的確立打下了扎實基礎。

臨港產能布局致力于工業控制和汽車電子等高端應用的特色工藝生產線：8英寸生產線6萬片/月，12英寸特色工藝生產線3,000片/月，6英寸SiC生產線5,000片/月，目標是顯著提升中國功率器件（IGBT）、模擬電路、電源管理和傳感器等芯片的核心競爭力和規模化生產能力。計劃于2020年開始一階段8英寸特色芯片工藝生產線投產，于2023年開展二階段12英寸特色芯片工藝生產線投產。

漕河涇廠區擁有5英寸、6英寸、8英寸產線各一條，年產等值8寸晶圓約78萬片，產品主要應用在工控、汽車、電力、能源等領域。上海先進擁有近30年的模擬、高壓、功率器件制造研發經驗，涵蓋BCD、HVCMOS、BiCMOS等工藝技術。

Power IC 技術工藝平臺符合汽車電子高可靠性和安全性標準要求的BCD工藝平臺；其IGBT工藝平臺，2004年5月生產了國內第一片IGBT2-1200V合格芯片，奠定了國內生產IGBT領先地位的基礎，后續重點開發600V/1200V Trench IGBT。TVS 特色工藝技術，已形成系列低壓/超低電容/低漏電TVS特色制造工藝。MOSFET工藝技術平臺，現已形成包括平面MOSFET、Trench MOSFET和Super-Junction MOSFET等在內的多種類MOSFET工藝平臺，同時正在開發中低壓屏蔽柵結構MOSFET（SGT MOSFET）工藝平臺。SiC工藝技術平臺，1200V JBS已處于開發階段，后續650V JBS和1200V/650V Planner/Trench MOSFET在計劃中。