東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率
—— 進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產品線
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”產品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數據中心和通信基站所用的工業設備的開關電源。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202003/411503.htm
U-MOS X-H系列產品示意圖
新增產品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產品于今日開始出貨。
由于采用了其最新一代的工藝制造技術，與當前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。通過優化器件結構，漏源導通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進一步的改善[2]。因此，新產品可提供業界最低[3]功耗。
東芝正在擴展其降耗型產品線，從而為降低設備功耗提供幫助。
應用：
● 開關電源（高效AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等）
● 電機控制設備（電機驅動等）
特性：
● 業界最低[3]功耗（通過改善導通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡）
● 業界最低[3]導通電阻：
RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）
RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）
● 高額定通道溫度：Tch=175℃
主要規格：
（除非另有說明，@Ta＝25℃）
| 器件型號 | TPH2R408QM | TPN19008QM | ||||
絕對最大 額定值 | 漏源電壓VDSS（V） | 80 | ||||
漏極電流 （DC）ID（A） | @Tc=25℃ | 120 | 34 | |||
通道溫度 Tch（℃） | 175 | |||||
| 電氣特性 | 漏源導通電阻 RDS(ON) 最大值（mΩ） | @VGS=10V | 2.43 | 19 | ||
| @VGS=6V | 3.5 | 28 | ||||
| 典型值 | 總柵極電荷（柵源+柵漏） Qg 典型值（nC） | 87 | 16 | |||
柵極開關電荷 Qsw（nC） | 28 | 5.5 | ||||
輸出電荷 Qoss（nC） | 90 | 16.5 | ||||
輸入電容 Ciss（pF） | 5870 | 1020 | ||||
| 封裝 | 名稱 | Advance | SOP | TSON | ||
| 尺寸典型值（mm） | 5.0×6.0 | 3.3×3.3 | ||||
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