性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS? S7超結MOSFET

近日，英飛凌科技股份公司成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。CoolMOS? S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改進以及高脈沖電流能力，并且具備最高質量標準。該器件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變極、PLC、功率固態繼電器和固態斷路器等。此外，10 m? CoolMOS? S7 MOSFET是業界RDS(on)最小的器件。

該產品系列專為低頻率的開關應用而開發，旨在降低它們的導通損耗，確保響應速度最快和效率最高。CoolMOS? S7器件甚至實現了比CoolMOS? 7產品更低的R_DS(on) x A，因而能夠成功地抵消開關損耗，最終實現導通電阻降低和成本節省。對于高壓開關而言，CoolMOS? S7產品擁有市面上最低的導通電阻（R_DS(on)）。此外，10 mΩ芯片采用創新的頂面冷卻QDPAK封裝，22 mΩ芯片采用先進的小型TO無引腳（TOLL）SMD封裝。這些MOSFET可助力實現經濟、簡化、緊湊、模塊化和高效的設計。設計出來的系統可以輕松滿足法規要求和能效認證標準（如適用于SMPS的Titanium^?標準），也能滿足功率預算，減少零部件數量和散熱器需求，同時降低總擁有成本（TCO）。

供貨情況

22 m? 600 V CoolMOS? S7器件擁有TO無引腳封裝和TO-220封裝，40 m?和65 m?器件擁有TO無引腳封裝。10 m? CoolMOS? S7 MOSFET將在2020年第四季度上市。