常用電子元器件分類及選型（正激）

一、保險絲

分類：從封裝上分為直插式和貼片式，其中直插式的又分徑向引線和縱向引線式。

從時間上分為速斷、中等慢斷、慢斷等。

從材質上分為陶瓷、玻璃、塑料等。

選型：作為保險絲除了選擇其封裝、時間、以及材質，額定電壓、電流等，最主要的是看I平方/T，即A平方/S，這是選擇保險絲的關鍵點，一般都是用示波器捕捉浪涌電流，然后積分(可以近似計算)，得出A平方/S。

舉例：

以上是給青島某客戶做的一適配器電源白盒測試的截圖，得到A平方/S為3.912，那么我們就的去查保險絲的規格書，對應的參數必須比3.912要大一個級別，查表得到比3.912大一個級別的為5.87，對應保險絲為1.6A，250V。一般電路中整流橋后面有電解電容的，選擇慢斷型的。

二、壓敏電阻

分類：從材質上分一般分為SrTiO3(鈦酸鍶)陶瓷和ZnO(氧化鋅)陶瓷，雖然SrTiO3(鈦酸鍶)陶瓷這種材質的好，性能優良，但價格高，所以目前作為電源鎮流器類用ZnO的還是居多。

從用途上分一般分為保護型、浪涌抑制型、功率型，目前我們用的都是浪涌抑制型。

選型：除了外觀尺寸，材質，封裝等最主要的選型還是看以下。

不同廠家都有自己的命名，而且有的是根據dc電壓分的，有的是根據ac電壓分的，如我司目前的CNR、EPCOS。無論是哪種命名方式，但選擇的原理都是一樣的。

根據不同的資料，原理有兩種：

一種是最高輸入電壓*1.414*1.2~1.4，來選擇(dc電壓法)。

舉例：輸入電壓為85-264Vac，則264*1.414*1.2~1.4=447.9~522.6dc，也就是選擇471-511的范圍，如果廠家命名的是ac的，則把*1.414去掉，即264*1.2~1.4=316.8~369.6ac，也就是選擇321~381ac。(321上一個檔是381，以EPCOS為例

另一種是根據在1mA時轉折電壓來選取。

見下面截圖，以EPCOS為例：

三、熱敏電阻

分類：按溫度分：負溫度系數/正溫度系數/臨界溫度熱敏電阻，英文字母表示為NTC/PTC/CTR.

按封裝分：直插式和貼片式。

其材料一般都是半導體陶瓷。

選型：除基本參數尺寸，25°C的阻值 零功率R25，B值，另外有兩點需要注意：

1. 耗散系數δ

δ=ΔP/ΔT (mW/℃)

即：在規定的環境溫度下，熱敏電阻器耗散功率變化率與其相應溫度變化之比。它表示使熱能電阻體升高1℃溫度所需消耗的功率。在工作溫度范圍內，δ隨環境溫度變化而有所變化。

2. 額定功率Pr

額定功率=耗散系數δ×(最高使用溫度Tmax-25℃)

比較興勤和時恒家的熱敏電阻：

時恒家的為：熱耗散系數(mw/℃): 20

興勤家的為：熱耗散系數(mw/℃): 21

大家根據上面的公式算一下額定功率：

比如Tmax溫度為200°C，則額定功率為耗散系數δ×(最高使用溫度Tmax-25℃)，時恒家的為：3.5W，興勤家的為：3.675W。

這個只是個參考值。

四、X電容、Y電容(安規電容)

X電容分類：按照耐壓不同分為X1 X2 X3三種。

1. X1耐高壓大于2.5 kV, 小于等于4 kV,

2. X2耐高壓小于等于2.5 kV,

3. X3耐高壓小于等于1.2 kV

目前我們家都用X2電容，性價比高。

X電容主要用于跨接L/N之間，濾去差模噪聲。

Y電容分類：按照耐壓不同分為Y1 Y2 Y3 Y4四種。

1. Y1耐高壓大于8 kV,

2. Y2耐高壓大于等于5 kV,

3. Y3 NA

4. Y4耐高壓大于等于2.5kV

需要注意的是：Y1屬于雙絕緣Y電容,用于跨接一二次側.Y2則屬于基本單絕緣Y電容,用于跨接一次側對地保護即FG線。

目前X電容常用的是金屬化聚丙烯薄膜，繞制完畢，兩邊銅包鋼引線，然后放入盒子中，環氧樹脂灌封而成，這個工藝中關鍵還是鋁粉蒸發到薄膜。

國外大部分都是壓制而非繞制，所以我們國產的一般都比不上國外的品質。

選型：只要注意了額定溫度，電壓，尺寸，容量等基本參數，沒有什么可難選型的。

目前Y電容常用的是陶瓷介質，通過焊料和鍍錫銅包鋼引線焊接，然后環氧樹脂封裝而成。

選型：注意額定溫度，電壓，尺寸，容量等基本參數，主要看其溫度特性是什么，如B(Bn) E R F等，目前比較好的是B(Bn)溫度特性的，以及損耗角的正切值以及漏電流(一般從1-10mA之間)。

溫度特性曲線如下:

五、 MOS 管

分類：按溝道分 N溝道和P溝道。

按材料分 結型和絕緣柵型。

按功率分 大中小三種。

其中注意所用MOS是增強型還是耗盡型。

目前我們都是用的絕緣柵-增強型-N溝道MOS。

選型：MOS管的選型比較復雜，講起來比較費唾沫。

現以N溝道增強型MOS管STW9NB90為例講解：

絕對最大額定值

從上而下依次為：

漏源電壓 MOS管的實際最大的電壓必須為此電壓的88%降額。(因為-40時MOS管的反壓是原來反壓的92%左右，當然如果低溫不是-40就另當別論)

漏柵電壓

柵源電壓 柵極驅動脈沖電壓幅值一般在最大不要超過25V，這是對于+/-30V的而言，如果是+/-25的話，一般不要超過20V，當然以上說的是極限值，一般都不會用到極限值，MOS管最佳開通電壓幅值為10V，低驅動電壓MOS除外)

漏極電流(25°C時)

漏極電流(100°C時) MOS管在極限條件(空氣對流的情況除外)下一般都會到達這個溫度，所以選型時看此時的電流，不要看25°C，沒有意義)

脈沖漏極電流

總功耗 這個功耗就是N溝道所能允許的功耗，一般為保險起見，電源或鎮流器是多大功率的，要選的此值接近于其功率，當然最終以測試溫升為評判依據。

額定值降低因子

二極管反向峰值電壓(好像只有ST廠家的有此項)

儲存溫度

最大工作結溫

熱阻

雪崩能量

電氣特性

因項目多，所以選幾個重點項目講解：

溝道電阻Rdson 除了開關損耗，另一個重要損耗就是溝道電阻的損耗。

米勒電容充電電荷量Qgd 這個主要以示波器測試米勒平臺波形為準。

反向恢復時間trr 寄生二極管反向恢復時間(有的芯片如半橋的，死區時間選的理論可以，為什么還會出現上下橋臂同時通的情況，原因就在于此，trr太長，國外品牌的一般都不會出問題，國產的標的很好，時間根本就達不到，很是不靠譜)