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        扒一扒那些關于板卡供電模塊的二三事

        作者: 時間:2018-08-03 來源:網絡 收藏

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201808/385346.htm

        在高端產品上使用的聚合物電容

        值得一提的是,在部分高端產品的供電輸出端我們還可以看到聚合物電容,如鋁聚合物電容以及著名的“小黃豆”鉭電容。由于這種聚合物電容擁有極強的高頻響應能力,因此在每秒充放電上萬次的開關電源供電電路中,它們常常被用于輸出端的濾波電路中,可以大大提升電流的純凈度。

        MosFET

        MosFET在供電電路中的作用是電流開關,它可以在電路中實現單向導通,通過在極也就是柵極加上合適的電壓,就可以讓MosFET實現飽和導通,而MosFET的調壓功能則是可以通過PWM芯片通斷比實現。

        很常見的“一上二下”型MosFET布置

        MosFET有四項重要參數,分別是最大電流(能承受的最大電流)、最大電壓(能承受的最大電壓)、導通電阻(導通電阻越低電源轉換效率越高)以及承受溫度(所能承受的溫度上限),原則上來說最大電流越大、最大電壓越高、導通電阻越低、承受溫度越高的MosFET品質越好。當然了完美的產品并不存在,不同MosFET會有不同優勢,選擇什么樣的MosFET是需要從實際情況出發考慮的。

        在開關電源供電電路中,MosFET是分為上橋和下橋兩組,運作時分別導通。而有注意MosFET布置的玩家可能會發現,多數開關電源供電電路中的上橋MosFET往往在規模上不如下橋MosFET,實際上這個與上下橋MosFET所需要承擔的電流不同有關。上橋MosFET承擔是的外部輸入電流,一般來說是12V電壓,因此在同樣功率的前提下,上橋MosFET導通的時間更短,承擔的電流更低,所需要的規模自然可以低一些;而下橋MosFET承擔的是CPU或GPU的工作電壓,一般來說僅在1V左右,因此在相同功率的環境下,其承擔的電流是上橋MosFET的10倍,導通的時間更長,所需要的規模自然更高了。

        而除了常見的分離式MosFET布置外,我們還會看到有整合式的MosFET,這種MosFET我們一般稱之為DrMos,其上橋MosFET以及下橋MosFET均封裝在同一芯片中,占用的PCB面積更小,更有利于布線。同時DrMos在轉換效率以及發熱量上相比傳統分離式MosFET有更高的優勢,因此其常見于中高端產品中。

        不過DrMos也不見得一定就比分離式MosFET更好,實際上由于DrMos承受溫度的能力較高,因此當它的溫度超過承受值并燒毀的時候,往往還會進一步燒穿PCB,致使整卡完全報廢。而分離式MosFET由于承受溫度的上限較低,因為過溫而燒毀時,往往不會破壞PCB,反而會給產品留下了“搶救一下”的機會。當然了最佳的做法是不讓MosFET有機會因為過溫而燒毀,因此顯卡顯卡上往往也會給供電電路配置足夠的散熱片。

        另外值得一提的是,同樣規格的MosFET實際上也可以有多種不同的封裝方式,以適應不同的使用壞境。雖然說不同的封裝模式對MosFET的散熱有一些影響,從而也影響其性能表現。但是相比于內阻、耐壓、電流承受能力等硬性指標,不同封裝帶來的影響幾乎可以忽略不計,因此我們不能簡單地通過封裝模式來判斷MosFET的好壞。

        PWM脈沖寬度調制芯片

        PWM也就是Pulse Width Modulation,簡稱脈沖寬度調制,是利用數字輸出的方式來對模擬電路進行的一種技術手段,可是對模擬信號電平實現數字編碼。它依靠改變脈沖寬度來控制輸出電壓,并通過改變脈沖調制的周期來控制其輸出頻率。PWM芯片的選擇與供電電路的相數息息相關,產品擁有多少相供電,PWM芯片就必須擁有對應數量的控制能力。

        開關電源供電電路是如何工作的?

        開關電源組成原理圖如下所示,圖中電容的作用是穩定供電電壓,濾除電流中的雜波,讓電流更為純凈;電感線圈則是通過儲能和釋能,來起到穩定電流的作用;PWM芯片則是開關電路控制模塊的主要組成部分,電路輸出電壓的大小與電流的大小基本上是由這個控制模塊;MosFET場效應管則分為上橋和下橋兩部分,電壓的調整就是通過上下橋MosFET配合工作實現的。

        開關電源供電電路開始工作時,外部電流輸入通過電感L1和電容C1進行初步的穩流、穩壓和濾波,輸入到后續的調壓電路中。由PWM芯片組成的控制模塊則發出信號導通上橋MosFET,對后續電路進行充能直至兩端電壓達到設定值。隨后控制模塊關閉上橋MosFET,導通下橋MosFET,后續電路對外釋放能量,兩端電壓開始下降,此時控制模塊關閉下橋MosFET,重新導通上橋MosFET,如此循環不斷。

        上文中所述的“后續電路”實際上就是原理圖中的L2電感與C2電容,與線性穩壓電路相比,開關電源雖然有轉換效率高,輸出電流大的優點,但是其MosFET所輸出的并不是穩定的電流,而是包含有雜波成分的脈沖電流,這樣的脈沖電流是無法直接在終端設備上使用的。此時L2電感與C2電容就共同組成了一個類似于“電池”作用的儲能電路,上橋MosFET導通時“電池”進行充能,而在下橋MosFET導通時“電池”進行釋能,讓進入終端設備的電流與兩端電壓維持穩定。

        最后一問,為什么主板和顯卡要采用多相供電?

        以上就是常見的CPU以及GPU供電電路組成及運行原理,實際上由于CPU和GPU對供電電流有較高的要求,以RX 480顯卡為例,其整卡滿載功耗為210W左右,即使按GPU供電占整卡供電70%計算,GPU的滿載功率也達到了150W的水平,以運行電壓1.1V計算,相當于136A的電流,如采用單相供電的話,那么單體承受100A以上的電感會非常巨大,而且要保證單相有足夠低的紋波,感值也會很大,那樣電感就更加巨大了,這顯然在各個方面來看都是無法讓人接受的。

        沒有10相以上供電的主板都不好意思說自己的高端產品

        因此顯卡與主板上都需要采用多相供電的方式,來分攤每一路供電的負載,以維持供電電路的安全和發熱量的可控性,部分中高端產品甚至引入了供電相數動態調節的技術,在負載較低是關閉部分供電電路,在CPU或GPU的負載提高時再自動打開,這樣既可以滿足高負載時的供電需求,也可以在低負載時起到進一步節能的作用。


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