手機充電器革命技術出現：體積減半，看完想買！

　　如果開關頻率太高，這部分功率損耗會大幅度增加而導致電源顯著變熱：

　　而有源鉗位反激拓撲可以解決這個問題，在有源鉗位反激拓撲中，變壓器漏感的能量并不被耗散掉，而是會先被儲存在鉗位電容里然后再被傳遞到輸出端。

　　有源鉗位反激拓撲優點不僅限于此：

　　通過智能化的控制有源鉗位電路，主邊的FET可以實現零電壓開啟(ZVS)，從而消除這個主要的開關電源損耗來源，效率得到進一步提高，ZVS的實現使我們可以使用更高的開關頻率從而減小充電器的大小。

　　如果我們用氮化鎵(GAN)取代基于硅的FET，實現ZVS所需要的能量會大大降低

　　這樣我們就可以使用更高的開關頻率，充電器的大小將縮小至一半　

　　使用GaN的30W充電器(中)體積要比傳統24W充電器(右)小得多。

　　但是可靠的控制有源鉗位反激拓撲并不簡單，在過去市面上并沒有快速且智能的控制芯片產品來實現這個拓撲。

　　不過UCC28780控制芯片將改變這一局面

　　通過集成多種先進的功能比如自適應、自調節的ZVS和脈沖模式，UCC28780化繁為簡，使有源鉗位反激拓撲在充電器中的應用成為現實。

　　UCC28780既可以控制基于硅的也可以用于控制基于氮化鎵的主邊FET。　

　　為了達到嚴格的效率標準比如DoE level VI和CoC Tier 2，還有一款UCC28780配套使用的同步整流管控制器UCC24612，使用這一款同步整流控制器，副邊可以使用效率更高的同步整流管來取代二極管。