俄專家發(fā)明單分子厚度微電路

　　據俄羅斯《消息報》報道，俄專家成功找到具有指定特性的二維半導體的制造方法，使將來制造微型電子設備成為可能。

　　俄羅斯科學院生化物理研究所首席研究員列昂尼德·切爾諾扎通斯基稱，盡管現在談微型電子設備的投產還為時尚早，但這一發(fā)現具有全球意義。

　　以德米特里·戈利貝格教授為首的研究小組與日本國立材料研究所、中國北京交通大學和澳大利亞昆士蘭科技大學的專家共同開展了相關研究。研究結果發(fā)布在《先進材料》(AdvancedMaterials)科學雜志上。

　　半導體材料是在氮化硼基礎上制造而成，氮化硼可通過改變氧濃度而改變禁帶寬度。向氮化蹦不同部位添加不等量的氧，可在板上“畫出”所需微電路。專家稱，該發(fā)現使這種材料在不同科技領域的使用成為可能，特別光伏和光電子學領域。

　　俄羅斯專家的這一發(fā)現有助于制造出比現有服務器小千倍的服務器，而且與現有服務器相比，不僅體積不同，能耗也不同，借此可實現蓄能裝置的微型化。