150V 快速高壓側受保護的N溝道MOSFET 驅動器提供100% 占空比能力

　　亞德諾半導體 (Analog Devices, Inc.，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7000/-1，該器件采用高達 150V 的電源電壓工作。其內部充電泵全面強化一個外部 N 溝道 MOSFET 開關，因而使之能無限期地保持導通。LTC7000/-1 的強大 1Ω 柵極驅動器能夠以非常短的轉換時間驅動大柵極電容 MOSFET，這非常適合高頻開關和靜態開關應用。

　　LTC7000/-1 可在 3.5V 至 135V (150VPK) 輸入電源范圍和一個 3.5V 至 15V 偏置電壓范圍內工作。它通過監視一個與外部 MOSFET 之漏極串聯的外部檢測電阻器兩端之電壓來檢測過流情況。當 LTC7000/-1 檢測到開關電流超過某個預設水平時，則確定一個故障標記，并關斷開關一段時間，而這段時間是由一個外部定時電容器設定。在經過一個預定的時間段之后，LTC7000/-1 自動執行重試操作。

　　LTC7000/-1 專為接收一個參考于地的低電壓數字輸入信號和快速驅動一個漏極電壓會高出地電位達 150V 的高壓側 N 溝道功率 MOSFET 而設計。13ns 的快速上升和下降時間 (當驅動一個 1000pF 負載) 最大限度降低了開關損耗。LTC7000 是全功能器件并具有比 LTC7000-1 更多的特點，包括使能、過壓閉鎖、可調電流限制和電流監視。

　　LTC7000 采用 MSOP-16 封裝，而 LTC7000-1 則采用 MSOP-16 (12) 封裝，后者去掉了 4 個引腳以提供高電壓間隔。該器件可提供三種工作結溫等級，擴展和工業版本為 –40°C 至 125°C，高溫汽車版本為 –40°C 至 150°C，而軍用等級則為 –55°C 至 150°C。千片批購價為每片 2.75 美元。如需更多信息，請登錄 www.linear.com.cn/product/LTC7000。

　　照片說明：高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器

　　性能概要： LTC7000/-1

　　· 寬 VIN 工作電壓范圍：3.5V 至 135V (150V 絕對最大值)

　　· 100% 占空比能力

　　· 1Ω 下拉、2Ω 上拉以提供快速接通和斷開

　　· 短路保護

　　· 自動重啟定時器

　　· 漏極開路故障標記

　　· 集成的自舉二極管

　　· 可調的接通轉換速率

　　· 3.5V 至 15V 偏置電源

　　· 可調電流限制 (LTC7000)

　　· 電流監視器輸出 (LTC7000)

　　· 可調輸入欠壓和過壓閉鎖 (LTC7000)