全球3D NAND大軍技術對決 下半年產出可望大增

　　2017年將是3DNANDFlash應用市場快速崛起的關鍵年，包括三星電子(SamsungElectronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3DNANDFlash加入競局，SK海力士(SKHynix)更一舉跳到72層3DNANDFlash技術以求突圍，由于新舊技術轉換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NANDFlash市場大缺貨，業(yè)者預期2017年下半產出可望大增，全面開啟3DNANDFlash時代。三星在2016年底宣布量產64層3DNAND技術，在整體市場競局持續(xù)技術領先地位，但從2D技術轉換到3DNAND過程中，面臨2D產品投片量減少，3DNAND初期良率又不穩(wěn)定，讓整個NANDFlash市場缺貨問題更嚴重，業(yè)者預期三星64層3DNAND會在5、6月開始放量生產，可望紓解市場吃緊狀況。

　　三星2017年3DNAND投資規(guī)模將高于先前計劃，三星平澤半導體廠預計最快6月完工，7月有機會正式投產，并進一步擴大增設3DNAND生產線，三星2017年在半導體投資額將創(chuàng)下史上新高紀錄，上看176億美元。三星過去在DRAM市場大舉投資的成功經驗，可能運用在NANDFlash技術與產能，借以拉大與競爭對手差距。

　　美光原本是生產32層3DNAND產品，之后跳過48層技術，直接投入研發(fā)生產64層3DNAND產品，預計2017年第2季開始量產，提供42GB和64GB產品，下半年出貨可望放量，2018年更計劃推出128GB產品，希望同時搶攻消費性SSD和企業(yè)SSD兩大應用市場。

　　半導體業(yè)者表示，NANDFlash技術微縮逐漸面臨瓶頸，全球存儲器大廠紛紛從2DNAND技術轉到堆疊式3DNAND技術，以持續(xù)追求成本降低，美光第一代32層3DNAND相較于16納米制程2DNAND技術，成本至少減少25%，而第二代64層3DNAND技術的成本可再減少30%，美光計劃第2季量產64層3DNAND產品。

　　SK海力士原本生產36層和48層3DNAND產品，為能在3DNAND市場攻城略地，SK海力士跳過三星、美光、東芝競逐的64層產品技術領域，直接跳到72層3DNAND技術，推出容量高達256Gb的第四代72層3DNAND產品，預計2017年下半進入量產，全力超越競爭對手所推出的64層3DNAND產品。

　　目前NANDFlash市場除了供給端遭逢新舊技術交接、良率不穩(wěn)定，導致供給量減少，在終端市場更適逢固態(tài)硬碟需求大爆發(fā)，由于遇上NANDFlash晶片缺貨，近期部分下游廠商反應很多大陸系統(tǒng)廠接獲智能型手機標案，但缺少足夠的存儲器可以出貨，通路端甚至把128GBSSD降到96GB容量，以因應整體市場供給吃緊情況。

　　現(xiàn)階段三星仍穩(wěn)居全球固態(tài)硬碟市場龍頭，其次是存儲器模組大廠金士頓(Kingston)，至于美光、新帝(SanDisk)、東芝、創(chuàng)見等緊跟在后，分食全球固態(tài)硬碟市場大餅。

　　隨著各大NANDFlash陣營紛紛轉進具競爭力的64層和72層3DNAND技術，減少2DNAND生產，業(yè)者預計2017年第4季3DNAND總產出將超越2DNAND產品，成為整個NANDFlash市場主力，2017年3DNAND時代正式來臨，并在2018年進入96層技術世代。